METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR TEMPLATE HAVING GROUP III METAL POLAR SURFACE

The present invention pertains to a method for manufacturing a semiconductor template, in which a high-quality, highly crystalline Group III metal polar surface is obtained by performing a substrate bonding process only once by selectively growing AlxGa1-xN materials having different polarities on a nominal on-axis c-plane sapphire substrate or Si(111) initial growth substrate without using an expensive off-angle sapphire substrate. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un modèle de semiconducteur, dans lequel une surface polaire de métal du groupe III hautement cristallin de haute qualité est obtenue par réalisation d'un processus de liaison de substrat uniquement une fois par croissance sélective d'Alx Ga1-xN matériaux ayant différentes polarités sur un substrat de saphir de plan c sur l'axe nominal ou un substrat de croissance initial de Si (111) sans utiliser de substrat de saphir hors angle coûteux. 본 발명은 고비용의 오프 앵글 사파이어 기판을 사용하지 않고도 norminal on-axis c-plane 사파이어 기판 또는 Si(111) 최초 성장기판 위에 서로 다른 극성을 가진 AlxGa1-xN 물질을 선택적으로 성장시킴으로써, 1회 기판 접합 공정만으로도 결정성이 뛰어난 고품질의 그룹3족 금속 극성 표면을 갖게 되는 반도체 템플릿의 제조 방법에 관한 것이다.