RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, COMPOUND, AND ACID DIFFUSION CONTROL AGENT

Provided are: a resist composition that further enhances roughness reduction and resolution; a resist pattern formation method that uses the resist composition; and a compound that is useful as an acid diffusion control agent used in the resist composition. The resist composition contains: a base component (A) of which the solubility in a developer solution changes due to the action of acid; and a compound (D0) represented by general formula (d0). In the formula, Rd01 is an alkyl group or halogen atom. nd01 is any integer from 0 to 5. When nd01 is 2 or greater, Rd02 is an alkyl group or halogen atom. nd02 is any integer from 0 to 5. Rd03 is an alkyl group, hydroxy group, or halogen atom. nd03 is any integer from 0 to 3. Each of L1 and L2 is independently a divalent linking group. Mm+ is an m-valent organic cation. m is an integer of 1 or greater. L'invention concerne : une composition de photorésine qui améliore davantage la réduction de rugosité et la résolution ; un procédé de formation de motif de photorésine qui utilise la composition de photorésine ; et un composé qui est utile en tant qu'agent de contrôle de diffusion d'acide utilisé dans la composition de photorésine. La composition de photorésine contient : un composant de base (A) dont la solubilité dans une solution de révélateur change en raison de l'action d'un acide ; et un composé (D0) représenté par la formule générale (d0). Dans la formule, Rd01 représente un groupe alkyle ou un atome d'halogène. nd01 est un nombre entier compris entre 0 et 5. Lorsque nd01 est supérieur ou égal à 2, Rd02 représente un groupe alkyle ou un atome d'halogène. nd02 est un nombre entier compris entre 0 et 5. Rd03 représente un groupe alkyle, un groupe hydroxy ou un atome d'halogène. nd03 est un nombre entier compris entre 0 et 3. L1 et L2 représentent chacun indépendamment un groupe de liaison divalent. Mm+ est un cation organique de valence m. m est un nombre entier supérieur ou égal à 1. ラフネスの低減化及び解像性を更に高められるレジスト組成物、そのレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、及び、そのレジスト組成物に用いる酸拡散制御剤として有用な化合物を提供する。酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）と、下記一般式（ｄ０）で表される化合物（Ｄ０）と、を含有する、レジスト組成物。式中、Ｒｄ０１は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎｄ０１は、０～５の整数である。ｎｄ０１が２以上である場合、Ｒｄ０２は、アルキル基又はハロゲン原子である。ｎｄ０２は、０～５の整数である。Ｒｄ０３は、アルキル基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。ｎｄ０３は、０～３の整数である。Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立に、２価の連結基である。Ｍｍ＋は、ｍ価の有機カチオンである。ｍは１以上の整数である。