DEVICE AND METHOD FOR MEASURING POSITIONAL DISPLACEMENT AMOUNT OF LAMINATED SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE

The present invention is a device and a method for measuring the positional displacement amount of a laminated substrate, in which the positional displacement amount of a laminated substrate obtained by stacking, in the thickness direction, two sets of first and second disc-shaped substrates having different diameters, is measured. Measurement light is projected onto the laminated substrate from the thickness direction and the measurement light transmission intensity distribution in the radial direction is measured, and the positional displacement amount is obtained on the basis of the measurement result, the measurement light being light having a wavelength capable of penetrating through whichever from among the first and second substrates that has the greater diameter. In this semiconductor manufacturing device, such a device for measuring the positional displacement amount of a laminated substrate is used. La présente invention concerne un dispositif et un procédé de mesure du degré de déplacement positionnel d'un substrat stratifié, dans lequel le degré de déplacement positionnel d'un substrat stratifié obtenu par empilement, dans la direction de l'épaisseur, de deux ensembles de premier et second substrats en forme de disque présentant des diamètres différents, est mesuré. Une lumière de mesure est projetée sur le substrat stratifié à partir de la direction de l'épaisseur et la distribution de l'intensité de transmission de la lumière de mesure dans la direction radiale est mesurée, et le degré de déplacement positionnel est obtenu sur la base du résultat de mesure, la lumière de mesure étant une lumière présentant une longueur d'onde capable de pénétrer à travers le substrat qui, parmi les premier et second substrats, présente le plus grand diamètre. Dans ce dispositif de fabrication de semi-conducteurs, un tel dispositif de mesure du degré de déplacement positionnel d'un substrat stratifié est utilisé. 本発明は、互いに径が異なる円板状の２組の第１および第２基板を厚さ方向に積層した貼合わせ基板の位置ずれ量を測定する貼合せ基板の位置ずれ量測定装置および該方法であって、前記厚さ方向から測定光を前記貼合せ基板に投光して径方向における前記測定光の透過強度分布を測定し、その測定結果に基づいて前記位置ずれ量を求め、前記測定光は、前記第１および第２基板のうちの径が大きい方を透過可能な波長の光である。本発明の半導体製造装置は、このような貼合せ基板の位置ずれ量測定装置を用いる。