INTEGRATED MICRO AND NANOSCALE METAL ASSISTED CHEMICAL ETCH PROCESS WITH A UNIFORM AND CLEAN ETCH FRONT

A method for metal assisted chemical etching. A catalyst layer is patterned on a surface of a semiconducting material, where the catalyst layer includes a pattern of sub- 100 nm or less than sub- 100 nm features adjacent to over 1 pm-sized features. Furthermore, the catalyst layer is multi-layered. The patterned catalyst layer is then exposed to an etchant, where the patterned catalyst layer causes etching of the semiconducting material to form nanostructures. The non- uniformity of the etch is sub-50 nm per 1 pm of etch, where the non-uniformity is enabled by the multi-layered catalyst. In this manner, simultaneous micro and nanoscale silicon etching without nanowire-like defects can be performed. Procédé de gravure chimique assistée par métal. Une couche de catalyseur est modelée sur une surface d'un matériau semi-conducteur, la couche de catalyseur comprenant un motif de caractéristiques de moins de 100 nm ou de taille inférieure à moins de 100 nm adjacentes à des caractéristiques de taille supérieure à 1 pm. En outre, la couche de catalyseur est multicouche. La couche de catalyseur modelée est ensuite exposée à un agent de gravure, la couche de catalyseur modelée provoquant la gravure du matériau semi-conducteur pour former des nanostructures. La non-uniformité de la gravure est inférieure à 50 nm pour 1 pm de gravure, la non-uniformité étant permise par le catalyseur multicouche. De cette manière, une gravure simultanée de silicium à l'échelle micrométrique et nanométrique sans défauts de type nanofil peut être effectuée.