SEMICONDUCTOR DEVICE
The present disclosure pertains to a semiconductor device which enables realization of DUT measurement of the semiconductor device to be mounted even in the form of a chip-laminated wafer having a CoW structure. A logic chip, which comprises a signal processing circuit, a memory circuit, and the lik...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | The present disclosure pertains to a semiconductor device which enables realization of DUT measurement of the semiconductor device to be mounted even in the form of a chip-laminated wafer having a CoW structure. A logic chip, which comprises a signal processing circuit, a memory circuit, and the like having been individualized, is layered on a wafer in which a plurality of imaging elements are formed. By forming a terminal in a scribe surface which is a portion to be cut during individualization and by forming and connecting, between the wafer and a logic substrate, a connection wiring for connecting the terminal in the scribe surface and DUT of the logic chip, a probe is connected to the terminal, whereby the DUT is realized without individualization. The present disclosure has applications in field of semiconductor devices.
La présente divulgation concerne un dispositif à semi-conducteur qui permet la réalisation d'une mesure de DUT du dispositif à semi-conducteur à monter même sous la forme d'une tranche stratifiée sur puce ayant une structure CoW. Une puce logique, qui comprend un circuit de traitement de signal, un circuit de mémoire et analogues ayant été individualisés, est stratifiée sur une tranche dans laquelle une pluralité d'éléments d'imagerie sont formés. En formant une borne dans une surface de traçage qui est une partie à couper pendant l'individualisation et en formant et en connectant, entre la tranche et un substrat logique, un câblage de connexion pour connecter la borne dans la surface de traçage et le DUT de la puce logique, une sonde est connectée au terminal, moyennant quoi le DUT est réalisé sans individualisation. La présente divulgation possède des applications dans le domaine des dispositifs à semi-conducteur.
本開示は、CoW構造のチップ積層ウェーハでも搭載する半導体装置のDUT測定を実現することができるようにする半導体装置に関する。 複数の撮像素子が形成されたウェーハに、個片化された信号処理回路やメモリ回路などからなるLogicチップを積層して、個片化する際に切断される部位であるスクライブ表面に端子を形成し、スクライブ表面の端子と、LogicチップのDUTとを接続するための接続配線をウェーハとLogic基板との間に形成し接続することで、端子にプローブを接続して、個片化することなくDUTを実現する。半導体装置に適用することができる。 |
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