TRANSISTOR STRUCTURES AND ELECTRICAL SIGNAL CONNECTIONS FOR USE IN DISPLAY DEVICES

Disclosed herein is a device including a switching transistor (ST) and a driving transistor (DT). The device includes a bottom Gl layer disposed over the buffer layer, and a ST and a DT disposed over a substrate. The DT includes a DT bottom gate electrode disposed over the buffer layer, a DT channel structure disposed over the bottom Gl layer, a DT top Gl layer disposed over the DT channel structure, a DT top gate electrode disposed over the DT top Gl layer, a DT drain, and a DT source. The bottom Gl layer is disposed over and surrounds the DT bottom gate electrode. The ST includes a ST channel structure disposed over the bottom Gl layer, a ST top Gl layer disposed over the ST channel structure, a ST top gate electrode disposed over the ST top Gl layer, a ST drain, and a ST source. Est divulgué un dispositif comprenant un transistor de commutation (ST) et un transistor d'attaque (DT). Le dispositif comprend une couche Gl inférieure disposée sur la couche tampon, et un ST et un DT disposés sur un substrat. Le DT comprend une électrode de grille inférieure DT disposée sur la couche tampon, une structure de canal DT disposée sur la couche Gl inférieure, une couche Gl supérieure DT disposée sur la structure de canal DT, une électrode de grille supérieure DT disposée sur la couche Gl supérieure DT, un drain DT et une source DT. La couche Gl inférieure est disposée sur l'électrode de grille inférieure DT et entoure celle-ci. Le ST comprend une structure de canal ST disposée sur la couche Gl inférieure, une couche Gl supérieure ST disposée sur la structure de canal ST, une électrode de grille supérieure ST disposée sur la couche Gl supérieure ST, un drain ST et une source ST.