OPTOELECTRONIC SEMICONDCUTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

An optoelectronic semiconductor device (1) comprising a semiconductor layer stack (10) is described herein. The layer stack (10) has a first thickness (Y1) of at least 2 μm. The layer stack (10) comprises a first region (101) of a first conductivity, a second region (102) of a second conductivity and an active region (103). The layer stack (10) is formed with a III-V compound semiconductor material. The layer stack (10) comprises at least one functional region (104) which is formed with a material having to the following formula: A(As1-xPx), wherein A comprises at least one group III element and 0.005 ≤ x ≤ 0.015. Further a method for producing an optoelectronic semiconductor device (1) is provided. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (1) comprenant un empilement de couches semi-conductrices (10). L'empilement de couches (10) a une première épaisseur (Y1) d'au moins 2 µm. L'empilement de couches (10) comprend une première région (101) d'une première conductivité, une seconde région (102) d'une seconde conductivité et une région active (103). L'empilement de couches (10) est formé avec un matériau semi-conducteur composé III-V. L'empilement de couches (10) comprend au moins une région fonctionnelle (104) qui est formée avec un matériau ayant la formule suivante : A(As1-x Px), A comprenant au moins un élément du groupe III et 0,005 ≤ x ≤ 0,015. L'invention concerne en outre un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur optoélectronique (1).