IMPURITY REDUCTION IN RADICAL TREATMENT CHAMBER
A method of post-deposition processing includes performing a preheat process in a radical treatment chamber, the preheat process comprising exposing a substrate having a metal layer formed thereon to purge gas and purging the purge gas at a pressure of between 400 Torr and 535 Torr, and performing a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A method of post-deposition processing includes performing a preheat process in a radical treatment chamber, the preheat process comprising exposing a substrate having a metal layer formed thereon to purge gas and purging the purge gas at a pressure of between 400 Torr and 535 Torr, and performing a radical treatment process in the radical treatment chamber, the radical treatment process comprising exposing the substrate to radical species.
Un procédé de traitement post-dépôt comprend la réalisation d'un procédé de préchauffage dans une chambre de traitement radicalaire, le procédé de préchauffage comprenant l'exposition d'un substrat ayant une couche métallique formée sur celui-ci pour purger le gaz et la purge du gaz de purge à une pression comprise entre 400 Torr et 535 Torr, et la réalisation d'un procédé de traitement radicalaire dans la chambre de traitement radicalaire, le procédé de traitement radicalaire comprenant l'exposition du substrat à des espèces radicalaires. |
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