COMPONENT FOR PLASMA PROCESSING DEVICE

This component for a plasma processing device has a base material and a vapor deposition layer that is provided on the base material and constitutes the most superficial surface. The vapor deposition layer has a base section that is provided on the base material side, and a plurality of protrusions that are provided on the base section and come into contact with a substrate. The space that is sandwiched by neighboring protrusions forms a gas flow passage. The vapor deposition layer comprises an oxide ceramic, a fluoride ceramic, an oxyfluoride ceramic, or a mixture including these, said oxide ceramic and said fluoride ceramic each including at least one type of element among the rare earth elements, Mg, Al, Si, Ca, Ti, Ta, and Zr, and the base section and the protrusions comprise the same material. La présente invention concerne un composant pour un dispositif de traitement au plasma, comprenant un matériau de base et une couche de dépôt en phase vapeur qui est appliquée sur le matériau de base et constitue la surface la plus superficielle. La couche de dépôt en phase vapeur comprend une section de base située sur le côté du matériau de base et une pluralité de saillies situées sur la section de base et entrant en contact avec un substrat. L'espace qui est pris en sandwich par des saillies voisines forme un passage d'écoulement de gaz. La couche de dépôt en phase vapeur comprend une céramique d'oxyde, une céramique de fluorure, une céramique d'oxyfluorure ou un mélange de celles-ci, ladite céramique d'oxyde et ladite céramique de fluorure comprenant chacune au moins un type d'élément parmi les terres rares, Mg, Al, Si, Ca, Ti, Ta et Zr, et la section de base et les saillies sont constituées du même matériau. 基材と基材上に設けられ、かつ最表面を構成する蒸着層とを有し、前記蒸着層は、前記基材側に設けられた基部と前記基部上に設けられた基板と接触する複数の凸部とを有し、隣り合う凸部で挟まれた空間がガス流路を構成し、前記蒸着層は、希土類元素、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｔａ、及びＺｒのうち少なくとも１種の元素を含む、酸化物セラミックス、フッ化物セラミックス、若しくは酸フッ化物セラミックス、又は、これらを含む混合物からなり、前記基部と前記凸部は同一材料からなる、プラズマ処理装置用部品。