ELECTRONIC DEVICE FABRICATION USING AREA-SELECTIVE DEPOSITION

A method includes selectively forming at least one passivation layer on at least one first conductive layer disposed in a first interlevel dielectric (ILD) layer, selectively forming at least one catalyst layer on the at least one passivation layer, wherein the at least one passivation layer prevents formation of the at least one catalyst layer on the first conductive layer, and selectively forming at least one supplemental dielectric layer using the at least one catalyst layer. The at least one catalyst layer induces formation of the at least one supplemental dielectric layer, and the at least one supplemental dielectric layer includes a dielectric material having a dielectric constant of less than or equal to about 4. L'invention concerne un procédé consistant à former sélectivement au moins une couche de passivation sur au moins une première couche conductrice disposée dans une première couche diélectrique inter-niveaux (ILD), à former sélectivement au moins une couche de catalyseur sur l'au moins une couche de passivation, l'au moins une couche de passivation empêchant la formation de l'au moins une couche de catalyseur sur la première couche conductrice, et à former sélectivement au moins une couche diélectrique supplémentaire à l'aide de l'au moins une couche de catalyseur. L'au moins une couche de catalyseur induit la formation de l'au moins une couche diélectrique supplémentaire, et l'au moins couche diélectrique supplémentaire comprend un matériau diélectrique ayant une constante diélectrique inférieure ou égale à environ 4.