SILICON SUPER JUNCTION STRUCTURES FOR INCREASED THROUGHPUT

A super junction device with an increased manufacturing throughput may be formed by forming narrow trenches lined with a P-type liner and rapidly filled with a passive fill material. Instead of etching trenches with aspect ratio large enough to reliably fill with doped P-type material, the aspect ratio of the trench may be reduced to shrink the size of the device. This smaller trench may then be lined with a relatively thin (e.g., about 1 ㎛ to about 2 ㎛) P-type liner instead of completely filling the trench with P-type material. Filling the trench with the passive fill material may be carried out in a matter of minutes at relatively high temperatures, thereby likely causing a void or seam to form within the passive fill material. However, because the passive fill material does not affect the operation of the device, this type of defect can exist in the device. L'invention concerne un dispositif de super-jonction avec un rendement de fabrication accru qui peut être formé par formation de tranchées étroites revêtues d'un revêtement de type P et remplies rapidement d'un matériau de remplissage passif. Au lieu de graver des tranchées avec un rapport d'aspect suffisamment grand pour remplir de manière fiable du matériau de type P dopé, le rapport d'aspect de la tranchée peut être réduit pour rétrécir la taille du dispositif. Cette tranchée plus petite peut ensuite être revêtue d'un revêtement de type P relativement mince (par exemple, d'environ 1 µm à environ 2 µm) au lieu de remplir complètement la tranchée avec un matériau de type P. Le remplissage de la tranchée avec le matériau de remplissage passif peut être effectué en quelques minutes à des températures relativement élevées, provoquant ainsi la formation d'un vide ou d'une couture à l'intérieur du matériau de remplissage passif. Cependant, étant donné que le matériau de remplissage passif n'affecte pas le fonctionnement du dispositif, ce type de défaut peut exister dans le dispositif.