METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

In at least one embodiment, the method is for producing a semiconductor device (1) and comprises the following steps in the stated order: A) providing a semiconductor body (2) having a top side (20), the semiconductor body (2) is based on SiC, B) producing a first layer (21) of the semiconductor body (2) next to the top side (20) by doping with a dopant (4), C) applying a carbon-containing layer (3) on the top side (20), D) implanting C into the first layer (21) through the carbon- containing layer (3), and E) performing a temperature treatment of the semiconductor body (2) when the carbon-containing layer (3) is still present on the top side (20). Dans au moins un mode de réalisation, le procédé est destiné à produire un dispositif à semi-conducteurs (1) et comprend les étapes suivantes dans l'ordre indiqué : A) fournir un corps semi-conducteur (2) ayant un côté supérieur (20), le corps semi-conducteur (2) étant à base de SiC, B) produire une première couche (21) du corps semi-conducteur (2) à côté du côté supérieur (20) par dopage avec un dopant (4), C) appliquer une couche contenant du carbone (3) sur le côté supérieur (20), D) implanter C dans la première couche (21) à travers la couche contenant du carbone (3), et E) effectuer un traitement thermique du corps semi-conducteur (2) lorsque la couche contenant du carbone (3) est toujours présente sur le côté supérieur (20).