SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Provided is a substrate processing method for forming a film comprising at least silicon, carbon, and nitrogen on a substrate having a recess, said method improving the properties of the formed film. This substrate processing method includes: a first step for forming a film comprising at least silicon, carbon, and nitrogen on a substrate having a recess by repeating, at least once in the following order, a step for supplying a nitrogen-containing gas comprising nitrogen to the substrate, and a step for supplying a starting material gas comprising silicon and carbon to the substrate; and a second step for exposing the substrate on which the film has been formed by means of the first step to a hydrogen-containing gas plasma, thereby modifying the film. Est proposé un procédé de traitement de substrat pour former un film comprenant au moins du silicium, du carbone et de l'azote sur un substrat ayant un évidement, ledit procédé améliorant les propriétés du film formé. Ce procédé de traitement de substrat comprend : une première étape consistant à former un film comprenant au moins du silicium, du carbone et de l'azote sur un substrat ayant un évidement en répétant, au moins une fois dans l'ordre suivant, une étape consistant à fournir un gaz contenant de l'azote comprenant de l'azote au substrat, et une étape consistant à fournir un gaz de matériau de départ comprenant du silicium et du carbone au substrat ; et une seconde étape consistant à exposer le substrat sur lequel le film a été formé au moyen de la première étape à un plasma gazeux contenant de l'hydrogène, ce qui permet de modifier le film. 凹部を有する基板に対して、少なくともシリコン、炭素、窒素を含む膜を形成する基板処理方法であって、形成された膜の特性を改善する基板処理方法を提供する。 凹部を有する基板に対して、前記基板に窒素を含む窒素含有ガスを供給する工程と、前記基板にシリコン、炭素を含む原料ガスを供給する工程と、をこの順で１回以上繰り返して、少なくともシリコン、炭素、窒素を含む膜を形成する第１の工程と、前記第１の工程によって前記膜が形成された前記基板を水素含有ガスのプラズマにさらして前記膜を改質する第２の工程と、を有する、基板処理方法。