COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD
Provided is a composition for chemical mechanical polishing which, when used for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer including a molybdenum film and a silicon oxide film, can selectively polish the molybdenum film by attaining an increased molybdenum-film polishing rate and...
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| creator | ISHIMAKI, Koki YAMAGUCHI, Misato HAGI, Shinichiro |
| description | Provided is a composition for chemical mechanical polishing which, when used for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer including a molybdenum film and a silicon oxide film, can selectively polish the molybdenum film by attaining an increased molybdenum-film polishing rate and a reduced silicon-oxide-film polishing rate and which can be inhibited from corroding the molybdenum film. This composition for chemical mechanical polishing comprises (A) abrasive grains, (B) a compound represented by general formula (1), (C) a compound having both a C10 or higher alkyl group and at least one functional group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof, and (D) an iron(III) compound, wherein, when the content of the (B) component is expressed by MB (parts by mass) and the content of the (C) component is expressed by MC (parts by mass), then MB/MC is 0.01-45. The composition for chemical mechanical polishing has a pH of 1-5. (In formula (1), R1, R2, and R3 each independently represent an alkyl group having up to n carbon atoms, R4 represents an aryl group, a hydroxy group, or a C5 or less alkyl group, M- represents a monovalent anion, and n is an integer of 1-4.)
L'invention concerne une composition aux fins d'un polissage mécano-chimique qui, lorsqu'elle est utilisée aux fins d'un polissage mécano-chimique (CMP) d'une tranche de semi-conducteur comprenant un film de molybdène et un film d'oxyde de silicium, peut polir sélectivement le film de molybdène par obtention d'un taux de polissage de film de molybdène accru et d'un taux de polissage de film d'oxyde de silicium réduit et qui peut éviter de corroder le film de molybdène. Cette composition aux fins d'un polissage mécano-chimique comprend (A) des grains abrasifs, (B) un composé représenté par la formule générale (1), (C) un composé comprenant à la fois un groupe alkyle en C10 ou plus et au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe amino et des sels correspondants, et (D) un composé de fer (III), lorsque la teneur du composant (B) est exprimée par MB (parties en masse) et la teneur du composant (C) est exprimée par MC (parties en masse), MB/MC étant de 0,01 à 45. La composition aux fins d'un polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 5. [Dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle comprenant jusqu'à n atomes de carbone, R4 représente un groupe aryle, un groupe hydroxy ou un groupe alkyle |
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L'invention concerne une composition aux fins d'un polissage mécano-chimique qui, lorsqu'elle est utilisée aux fins d'un polissage mécano-chimique (CMP) d'une tranche de semi-conducteur comprenant un film de molybdène et un film d'oxyde de silicium, peut polir sélectivement le film de molybdène par obtention d'un taux de polissage de film de molybdène accru et d'un taux de polissage de film d'oxyde de silicium réduit et qui peut éviter de corroder le film de molybdène. Cette composition aux fins d'un polissage mécano-chimique comprend (A) des grains abrasifs, (B) un composé représenté par la formule générale (1), (C) un composé comprenant à la fois un groupe alkyle en C10 ou plus et au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe amino et des sels correspondants, et (D) un composé de fer (III), lorsque la teneur du composant (B) est exprimée par MB (parties en masse) et la teneur du composant (C) est exprimée par MC (parties en masse), MB/MC étant de 0,01 à 45. La composition aux fins d'un polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 5. [Dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle comprenant jusqu'à n atomes de carbone, R4 représente un groupe aryle, un groupe hydroxy ou un groupe alkyle en C5 ou moins, M- représente un anion monovalent, et n est un nombre entier de 1 à 4.]
モリブデン膜およびシリコン酸化膜を含む半導体ウエハのＣＭＰにおいて、モリブデン膜の研磨速度を大きくするとともに、シリコン酸化膜の研磨速度を小さくすることによって、モリブデン膜を選択的に研磨することができ、かつ、モリブデン膜の腐食を低減することができる化学機械研磨用組成物を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、（Ａ）砥粒と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）アミノ基およびその塩からなる群より選択される少なくとも１種の官能基と、炭素数が１０個以上のアルキル基とを有する化合物と、（Ｄ）鉄（ＩＩＩ）化合物と、を含有し、前記（Ｂ）成分の含有量をＭＢ（質量部）、前記（Ｃ）成分の含有量をＭＣ（質量部）とした場合、ＭＢ／ＭＣ＝０．０１～４５であり、ｐＨが１以上５以下である。 （式（１）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立して炭素数がｎ個以下のアルキル基を表し、Ｒ４はアリール基、ヒドロキシ基または炭素数が５以下のアルキル基を表す。Ｍ－は１価のアニオンを表す。ｎは１以上４以下の整数を表す。）</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>ADHESIVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMISTRY ; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES ; DYES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS ; GRINDING ; MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING ; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; PERFORMING OPERATIONS ; POLISHES ; POLISHING ; POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SKI WAXES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240808&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024162160A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240808&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024162160A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ISHIMAKI, Koki</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAGUCHI, Misato</creatorcontrib><creatorcontrib>HAGI, Shinichiro</creatorcontrib><title>COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD</title><description>Provided is a composition for chemical mechanical polishing which, when used for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer including a molybdenum film and a silicon oxide film, can selectively polish the molybdenum film by attaining an increased molybdenum-film polishing rate and a reduced silicon-oxide-film polishing rate and which can be inhibited from corroding the molybdenum film. This composition for chemical mechanical polishing comprises (A) abrasive grains, (B) a compound represented by general formula (1), (C) a compound having both a C10 or higher alkyl group and at least one functional group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof, and (D) an iron(III) compound, wherein, when the content of the (B) component is expressed by MB (parts by mass) and the content of the (C) component is expressed by MC (parts by mass), then MB/MC is 0.01-45. The composition for chemical mechanical polishing has a pH of 1-5. (In formula (1), R1, R2, and R3 each independently represent an alkyl group having up to n carbon atoms, R4 represents an aryl group, a hydroxy group, or a C5 or less alkyl group, M- represents a monovalent anion, and n is an integer of 1-4.)
L'invention concerne une composition aux fins d'un polissage mécano-chimique qui, lorsqu'elle est utilisée aux fins d'un polissage mécano-chimique (CMP) d'une tranche de semi-conducteur comprenant un film de molybdène et un film d'oxyde de silicium, peut polir sélectivement le film de molybdène par obtention d'un taux de polissage de film de molybdène accru et d'un taux de polissage de film d'oxyde de silicium réduit et qui peut éviter de corroder le film de molybdène. Cette composition aux fins d'un polissage mécano-chimique comprend (A) des grains abrasifs, (B) un composé représenté par la formule générale (1), (C) un composé comprenant à la fois un groupe alkyle en C10 ou plus et au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe amino et des sels correspondants, et (D) un composé de fer (III), lorsque la teneur du composant (B) est exprimée par MB (parties en masse) et la teneur du composant (C) est exprimée par MC (parties en masse), MB/MC étant de 0,01 à 45. La composition aux fins d'un polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 5. [Dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle comprenant jusqu'à n atomes de carbone, R4 représente un groupe aryle, un groupe hydroxy ou un groupe alkyle en C5 ou moins, M- représente un anion monovalent, et n est un nombre entier de 1 à 4.]
モリブデン膜およびシリコン酸化膜を含む半導体ウエハのＣＭＰにおいて、モリブデン膜の研磨速度を大きくするとともに、シリコン酸化膜の研磨速度を小さくすることによって、モリブデン膜を選択的に研磨することができ、かつ、モリブデン膜の腐食を低減することができる化学機械研磨用組成物を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、（Ａ）砥粒と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）アミノ基およびその塩からなる群より選択される少なくとも１種の官能基と、炭素数が１０個以上のアルキル基とを有する化合物と、（Ｄ）鉄（ＩＩＩ）化合物と、を含有し、前記（Ｂ）成分の含有量をＭＢ（質量部）、前記（Ｃ）成分の含有量をＭＣ（質量部）とした場合、ＭＢ／ＭＣ＝０．０１～４５であり、ｐＨが１以上５以下である。 （式（１）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立して炭素数がｎ個以下のアルキル基を表し、Ｒ４はアリール基、ヒドロキシ基または炭素数が５以下のアルキル基を表す。Ｍ－は１価のアニオンを表す。ｎは１以上４以下の整数を表す。）</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES</subject><subject>DYES</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS</subject><subject>GRINDING</subject><subject>MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING</subject><subject>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>POLISHING</subject><subject>POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SKI WAXES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHBy9vcN8A_2DPH091Nw8w9ScPZw9fV0dvRR8HV19nD0AzMD_H08gz08_dwVHP1ckHi-riEe_i48DKxpiTnFqbxQmptB2c01xNlDN7UgPz61uCAxOTUvtSQ-3N_IwMjE0MzI0MzA0dCYOFUArYcsDQ</recordid><startdate>20240808</startdate><enddate>20240808</enddate><creator>ISHIMAKI, Koki</creator><creator>YAMAGUCHI, Misato</creator><creator>HAGI, Shinichiro</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240808</creationdate><title>COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD</title><author>ISHIMAKI, Koki ; YAMAGUCHI, Misato ; HAGI, Shinichiro</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024162160A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES</topic><topic>DYES</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS</topic><topic>GRINDING</topic><topic>MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING</topic><topic>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>POLISHING</topic><topic>POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SKI WAXES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ISHIMAKI, Koki</creatorcontrib><creatorcontrib>YAMAGUCHI, Misato</creatorcontrib><creatorcontrib>HAGI, Shinichiro</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ISHIMAKI, Koki</au><au>YAMAGUCHI, Misato</au><au>HAGI, Shinichiro</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD</title><date>2024-08-08</date><risdate>2024</risdate><abstract>Provided is a composition for chemical mechanical polishing which, when used for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer including a molybdenum film and a silicon oxide film, can selectively polish the molybdenum film by attaining an increased molybdenum-film polishing rate and a reduced silicon-oxide-film polishing rate and which can be inhibited from corroding the molybdenum film. This composition for chemical mechanical polishing comprises (A) abrasive grains, (B) a compound represented by general formula (1), (C) a compound having both a C10 or higher alkyl group and at least one functional group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof, and (D) an iron(III) compound, wherein, when the content of the (B) component is expressed by MB (parts by mass) and the content of the (C) component is expressed by MC (parts by mass), then MB/MC is 0.01-45. The composition for chemical mechanical polishing has a pH of 1-5. (In formula (1), R1, R2, and R3 each independently represent an alkyl group having up to n carbon atoms, R4 represents an aryl group, a hydroxy group, or a C5 or less alkyl group, M- represents a monovalent anion, and n is an integer of 1-4.)
L'invention concerne une composition aux fins d'un polissage mécano-chimique qui, lorsqu'elle est utilisée aux fins d'un polissage mécano-chimique (CMP) d'une tranche de semi-conducteur comprenant un film de molybdène et un film d'oxyde de silicium, peut polir sélectivement le film de molybdène par obtention d'un taux de polissage de film de molybdène accru et d'un taux de polissage de film d'oxyde de silicium réduit et qui peut éviter de corroder le film de molybdène. Cette composition aux fins d'un polissage mécano-chimique comprend (A) des grains abrasifs, (B) un composé représenté par la formule générale (1), (C) un composé comprenant à la fois un groupe alkyle en C10 ou plus et au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe amino et des sels correspondants, et (D) un composé de fer (III), lorsque la teneur du composant (B) est exprimée par MB (parties en masse) et la teneur du composant (C) est exprimée par MC (parties en masse), MB/MC étant de 0,01 à 45. La composition aux fins d'un polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 5. [Dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle comprenant jusqu'à n atomes de carbone, R4 représente un groupe aryle, un groupe hydroxy ou un groupe alkyle en C5 ou moins, M- représente un anion monovalent, et n est un nombre entier de 1 à 4.]
モリブデン膜およびシリコン酸化膜を含む半導体ウエハのＣＭＰにおいて、モリブデン膜の研磨速度を大きくするとともに、シリコン酸化膜の研磨速度を小さくすることによって、モリブデン膜を選択的に研磨することができ、かつ、モリブデン膜の腐食を低減することができる化学機械研磨用組成物を提供する。 本発明に係る化学機械研磨用組成物は、（Ａ）砥粒と、（Ｂ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｃ）アミノ基およびその塩からなる群より選択される少なくとも１種の官能基と、炭素数が１０個以上のアルキル基とを有する化合物と、（Ｄ）鉄（ＩＩＩ）化合物と、を含有し、前記（Ｂ）成分の含有量をＭＢ（質量部）、前記（Ｃ）成分の含有量をＭＣ（質量部）とした場合、ＭＢ／ＭＣ＝０．０１～４５であり、ｐＨが１以上５以下である。 （式（１）中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立して炭素数がｎ個以下のアルキル基を表し、Ｒ４はアリール基、ヒドロキシ基または炭素数が５以下のアルキル基を表す。Ｍ－は１価のアニオンを表す。ｎは１以上４以下の整数を表す。）</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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