COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND POLISHING METHOD

Provided is a composition for chemical mechanical polishing which, when used for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor wafer including a molybdenum film and a silicon oxide film, can selectively polish the molybdenum film by attaining an increased molybdenum-film polishing rate and a reduced silicon-oxide-film polishing rate and which can be inhibited from corroding the molybdenum film. This composition for chemical mechanical polishing comprises (A) abrasive grains, (B) a compound represented by general formula (1), (C) a compound having both a C10 or higher alkyl group and at least one functional group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof, and (D) an iron(III) compound, wherein, when the content of the (B) component is expressed by MB (parts by mass) and the content of the (C) component is expressed by MC (parts by mass), then MB/MC is 0.01-45. The composition for chemical mechanical polishing has a pH of 1-5. (In formula (1), R1, R2, and R3 each independently represent an alkyl group having up to n carbon atoms, R4 represents an aryl group, a hydroxy group, or a C5 or less alkyl group, M- represents a monovalent anion, and n is an integer of 1-4.) L'invention concerne une composition aux fins d'un polissage mécano-chimique qui, lorsqu'elle est utilisée aux fins d'un polissage mécano-chimique (CMP) d'une tranche de semi-conducteur comprenant un film de molybdène et un film d'oxyde de silicium, peut polir sélectivement le film de molybdène par obtention d'un taux de polissage de film de molybdène accru et d'un taux de polissage de film d'oxyde de silicium réduit et qui peut éviter de corroder le film de molybdène. Cette composition aux fins d'un polissage mécano-chimique comprend (A) des grains abrasifs, (B) un composé représenté par la formule générale (1), (C) un composé comprenant à la fois un groupe alkyle en C10 ou plus et au moins un groupe fonctionnel choisi dans le groupe constitué par un groupe amino et des sels correspondants, et (D) un composé de fer (III), lorsque la teneur du composant (B) est exprimée par MB (parties en masse) et la teneur du composant (C) est exprimée par MC (parties en masse), MB/MC étant de 0,01 à 45. La composition aux fins d'un polissage mécano-chimique présente un pH de 1 à 5. [Dans la formule (1), R1, R2 et R3 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle comprenant jusqu'à n atomes de carbone, R4 représente un groupe aryle, un groupe hydroxy ou un groupe alkyle