ION BEAM ADJUSTMENT METHOD AND ION BEAM DEVICE
In the present invention, the straight edge of the opening of a movable aperture is made orthogonal to the optical axis of an ion beam. This ion beam adjustment method, in which a sample is irradiated through a movable aperture having an opening of which at least one side is a straight edge, include...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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Zusammenfassung: | In the present invention, the straight edge of the opening of a movable aperture is made orthogonal to the optical axis of an ion beam. This ion beam adjustment method, in which a sample is irradiated through a movable aperture having an opening of which at least one side is a straight edge, includes: irradiating the sample with an ion beam having a first focus and an ion beam having a second focus different from the first focus (S207); and adjusting the position of the opening of the movable aperture on the basis of the positional relationship between a first side corresponding to the straight edge of a first irradiation trace on the sample formed by the ion beam having the first focus and a second side corresponding to the straight edge of a second irradiation trace on the sample formed by the ion beam of the second focus (S209).
Dans la présente invention, le bord droit de l'ouverture d'une ouverture mobile est rendu orthogonal à l'axe optique d'un faisceau d'ions. Ce procédé de réglage de faisceau d'ions, dans lequel un échantillon est irradié à travers un orifice mobile ayant une ouverture dont au moins un côté est un bord droit, consiste à : irradier l'échantillon avec un faisceau d'ions ayant un premier foyer et un faisceau d'ions ayant un second foyer différent du premier foyer (S207) ; et ajuster la position de l'ouverture de l'orifice mobile sur la base de la relation de position entre un premier côté correspondant au bord droit d'une première trace d'irradiation sur l'échantillon formé par le faisceau d'ions ayant le premier foyer et un second côté correspondant au bord droit d'une seconde trace d'irradiation sur l'échantillon formé par le faisceau d'ions du second foyer (S209).
可動絞りの開口部の直線エッジとイオンビームの光軸とを直交させる。イオンビームの調整方法は、少なくとも一辺が直線エッジの開口部を有する可動絞りを介して試料に照射されるイオンビームの調整方法であって、第1焦点のイオンビーム及び第1焦点とは異なる第2焦点のイオンビームを試料に照射すること(S207)、及び第1焦点のイオンビームによって形成された試料上の第1照射跡の直線エッジに対応する第1の辺と第2焦点のイオンビームによって形成された試料上の第2照射跡の直線エッジに対応する第2の辺との位置関係に基づいて、可動絞りの開口部の位置を調整すること(S209)、を有する。 |
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