METHOD AND PYROMETER FOR MEASURING THE TEMPERATURE OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Es ist Verfahren und ein Pyrometer zum Messen der Temperatur eines Halbleitersubstrats während einer lampenbasierten thermischen Behandlung desselben beschrieben. Bei dem Verfahren sind folgende Schritten vorgesehen: Leiten von vom Halbleitersubstrat ausgehender Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 6 bis 20 µm auf einen Sensor, Erfassen von Strahlung am Sensor, die einen ersten Strahlungsanteil aufweist, der vom zu messenden Halbeitersubstrat stammt, sowie einen zweiten Strahlungsanteil, der von Bauteilen stammt, die im Sichtfeld des Sensor liegen, Ermitteln des zweiten Strahlungsanteils unter Berücksichtigung einer Temperatur der Bauteile, Ausgeben einer Temperatur des Halbleitersubstrats anhand der erfassten Strahlung. Das Pyrometer hat einen optischen Sensor, Mittel zum Leiten von Strahlung in einem Wellenlängenbereich von 6 bis 20 µm auf den Sensor, wenigstens ein erstes Gehäuse, das den Sensor umgibt, und Mittel zum Bestimmen der Temperatur des Sensors und/oder von Bauteilen des Pyrometers, die Im Sichtfeld des Sensors liegen. The invention relates to a method and a pyrometer for measuring the temperature of a semiconductor substrate during lamp-based thermal treatment of same. In the method, the following steps are provided: directing radiation in a wavelength range of 6 to 20 µm emitted by the semiconductor substrate onto a sensor; capturing radiation at the sensor, the radiation having a first radiation portion originating from the semiconductor substrate that is to be measured and a second radiation portion originating from components located in the sensor's field of view; identifying the second radiation portion taking into account a temperature of the components; outputting a temperature of the semiconductor substrate on the basis of the captured radiation. The pyrometer has an optical sensor, means for directing radiation in a wavelength range of 6 to 20 µm onto the sensor, at least one first housing surrounding the sensor, and means for ascertaining the temperature of the sensor and/or of components of the pyrometer which are located in the sensor's field of view. L'invention concerne un procédé et un pyromètre pour mesurer la température d'un substrat semi-conducteur pendant un traitement thermique à base de lampe de celui-ci. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : diriger un rayonnement dans une plage de longueurs d'onde de 6 à 20 µm émis par le substrat semi-conducteur sur un capteur ; capturer un rayonnement au nivea