EXTREME ULTRAVIOLET PELLICLES AND METHOD OF MANUFACTURING
Methods of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) pellicles are disclosed. The methods comprise forming on a carbon nanotube (CNT) membrane of an EUV pellicle a nucleation layer. A protective material layer is deposited on the nucleation layer, the protective material layer exhibiting greater th...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | Methods of manufacturing an extreme ultraviolet (EUV) pellicles are disclosed. The methods comprise forming on a carbon nanotube (CNT) membrane of an EUV pellicle a nucleation layer. A protective material layer is deposited on the nucleation layer, the protective material layer exhibiting greater than 90% transmission of 13.5 nm EUV light. The methods may be performed by atomic layer deposition. The protective material layer may be selected from aluminum (Al), aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3), boron carbide (B4C), boron nitride (BN), molybdenum (Mo), molybdenum silicide (MoSi2), molybdenum carbide (MoC,Mo2C), ruthenium (Ru), ruthenium niobium alloy (RuNb), ruthenium oxide (RuO, RUO2), tantalum nitride (TaN), tantalum (Ta), yttrium nitride (YN), zirconium boride (ZrB2), zirconium silicide (ZrSi2), and silicon carbide (SiC).
L'invention concerne des procédés de fabrication de pellicules pour ultraviolets extrêmes (UVE). Les procédés consistent à former une couche de nucléation sur une membrane de nanotubes de carbone (CNT) d'une pellicule UVE. Une couche de matériau protecteur est déposée sur la couche de nucléation, la couche de matériau protecteur présentant une transmission de la lumière UVE de 13,5 nm qui est supérieure à 90%. Les procédés peuvent être réalisés par dépôt de couche atomique. La couche de matériau protecteur peut être choisie parmi l'aluminium (Al), le nitrure d'aluminium (AlN), l'oxyde d'aluminium (Al2O3), le carbure de bore (B4C), le nitrure de bore (BN), le molybdène (Mo), le siliciure de molybdène (MoSi2), le carbure de molybdène (MoC, Mo2 C), le ruthénium (Ru), un alliage de ruthénium et de niobium (RuNb), l'oxyde de ruthénium (RuO, RUO2), le nitrure de tantale (TaN), le tantale (Ta), le nitrure d'yttrium (YN), le borure de zirconium (ZrB2), le siliciure de zirconium (ZrSi2) et le carbure de silicium (SiC). |
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