CRYSTALLINE METAL OXIDE FILM, METHOD FOR FORMING SAME, STARTING MATERIAL SOLUTION OF SAME, MULTILAYER STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a film forming method for forming a crystalline metal oxide film on a base material by subjecting an atomized starting material solution to a heat treatment so as to cause a thermal reaction on the base material. This film forming method is characterized in that a solution containing at least a carboxylic acid and a metal starting material that contains a metal element which constitutes the crystalline metal oxide film is used as the starting material solution. Consequently, the present invention provides a film forming method which is capable of forming a film that has good surface smoothness, while suppressing the production of spherical undesired particles in cases where a film is formed on a base material by subjecting an atomized starting material solution to a heat treatment. La présente invention concerne un procédé de formation de film pour la formation d'un film d'oxyde métallique cristallin sur un matériau de base par la soumission d'une solution de matériau de départ atomisée à un traitement thermique de façon à provoquer une réaction thermique sur le matériau de base. Le procédé de formation de film est caractérisé en ce qu'une solution contenant au moins un acide carboxylique et un matériau de départ métallique qui contient un élément métallique qui constitue le film d'oxyde métallique cristallin est utilisée en tant que solution de matériau de départ. Par conséquent, la présente invention concerne un procédé de formation de film qui est capable de former un film qui possède un bon lissé de surface, tout en supprimant la production de particules indésirables sphériques dans des cas où un film est formé sur un matériau de base par la soumission d'une solution de matériau de départ atomisée à un traitement thermique. 本発明は、ミスト化した原料溶液を熱処理して基体上で熱反応を生じさせることで前記基体上に結晶性金属酸化物膜を成膜する成膜方法であって、前記原料溶液として、少なくとも前記結晶性金属酸化物膜を構成する金属元素を含む金属原料と、カルボン酸を含むものを用いることを特徴とする成膜方法である。これによりミスト化した原料溶液を熱処理して基体上に成膜を行う場合に球状の異物の生成を抑制し、表面の平滑性が良好な膜を成膜できる成膜方法を提供する。