METHOD OF FORMING A CONFORMAL AND CONTINUOUS CRYSTALLINE SILICON NANOSHEET WITH IMPROVED ELECTRICAL PROPERTIES AT LOW DOPING LEVELS

A method of forming a conformal and continuous crystalline Si film on a surface of a substrate comprises: exposing the substrate to a vapor of a first Si-containing precursor under a first temperature; allowing a seed film being formed onto the surface; exposing the substrate to a vapor of a second Si-containing precursor and a vapor of a dopant precursor under a second temperature; depositing a doped amorphous Si-containing film onto the seed film by a chemical vapor deposition (CVD) process; and annealing the substrate to crystalize the doped amorphous Si-containing film forming the conformal and continuous crystalline Si film on the surface, wherein the first Si-containing precursor is (diisobutylamine)trisilane ((/Bu)2-N-(SiH2)2-SiH3). Un procédé de formation d'un film de Si cristallin conforme et continu sur une surface d'un substrat comprend : l'exposition du substrat à une vapeur d'un premier précurseur contenant du Si à une première température; le fait de permettre à un film germe d'être formé sur la surface; l'exposition du substrat à une vapeur d'un deuxième précurseur contenant du Si et une vapeur d'un précurseur de dopant à une deuxième température; le dépôt d'un film contenant du Si amorphe dopé sur le film germe par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD); et le recuit du substrat pour cristalliser le film contenant du Si amorphe dopé formant le film de Si cristallin conforme et continu sur la surface, le premier précurseur contenant du Si étant le (diisobutylamine)trisilane ((/Bu)2-N-(SiH2)2-SiH3).