SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT

The present invention provides a semiconductor laser element which is capable of unifying or almost unifying the vertical modes of an oscillation wavelength. The present invention specifically provides a semiconductor laser element which is provided with a nitride semiconductor multilayer body that has a first end face, a second end face and an optical waveguide, wherein: the nitride semiconductor multilayer body comprises a first n-side nitride semiconductor layer, a second n-side nitride semiconductor layer, an active layer and a p-side nitride semiconductor layer; the first n-side nitride semiconductor layer comprises a diffraction grating part that is provided with a periodic structure in which the refractive index periodically changes in the resonance direction of the optical waveguide, and a non-diffraction grating part that is positioned between the diffraction grating part and the first end face, and is not provided with a periodic structure; the active layer comprises an n-side well layer and an n-side barrier layer; the second n-side nitride semiconductor layer is a nitride semiconductor layer that comprises In and Ga; and the thickness of the second n-side nitride semiconductor layer is larger than the thickness of the n-side barrier layer. La présente invention concerne un élément laser à semi-conducteur qui est apte à unifier ou presque unifier les modes verticaux d'une longueur d'onde d'oscillation. La présente invention concerne spécifiquement un élément laser à semi-conducteur qui est pourvu d'un corps multicouche semi-conducteur au nitrure qui présente une première face d'extrémité, une seconde face d'extrémité et un guide d'ondes optique : le corps multicouche semi-conducteur au nitrure comprend une première couche semi-conductrice au nitrure côté n, une seconde couche semi-conductrice au nitrure côté n, une couche active et une couche semi-conductrice au nitrure côté p ; la première couche semi-conductrice au nitrure côté n comprend une partie de réseau de diffraction qui est pourvue d'une structure périodique dans laquelle l'indice de réfraction change périodiquement dans la direction de résonance du guide d'ondes optique, et une partie de réseau de non-diffraction qui est positionnée entre la partie de réseau de diffraction et la première face d'extrémité, et n'est pas pourvue d'une structure périodique ; la couche active comprend une couche de puits côté n et une couche barrière côté n ; la seconde couche semi-conductrice au nitrure c