SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Provided is a semiconductor device having favorable electrical properties. The present invention includes a transistor and a first insulation layer. The transistor has a source electrode, a drain electrode, a semiconductor layer, a gate insulation layer, and a gate electrode. The source electrode and the drain electrode are provided so as to be facing each other and embedded in the first insulation layer. The first insulation layer has an opening between the source electrode and the drain electrode. The semiconductor layer, in the opening, is provided so as to contact the side surfaces of the source electrode and the drain electrode that face each other, and to contact the side surface of the first insulation layer between the source electrode and the drain electrode. The gate insulation layer, in the opening, is provided so as to contact the side surface of the semiconductor layer. The gate electrode, in the opening, is provided so as to contact the side surface of the gate insulation layer in a manner including a region that faces the semiconductor layer. Est prévu un dispositif à semi-conducteur présentant des propriétés électriques favorables. La présente invention comprend un transistor et une première couche d'isolation. Le transistor comporte une électrode de source, une électrode de drain, une couche semi-conductrice, une couche d'isolation de grille et une électrode de grille. L'électrode de source et l'électrode de drain sont disposées de façon à être en regard l'une de l'autre et incorporées dans la première couche d'isolation. La première couche d'isolation comporte une ouverture entre l'électrode de source et l'électrode de drain. La couche semi-conductrice, dans l'ouverture, est disposée de façon à entrer en contact avec les surfaces latérales de l'électrode de source et de l'électrode de drain qui se font face, et à entrer en contact avec la surface latérale de la première couche d'isolation entre l'électrode de source et l'électrode de drain. La couche d'isolation de grille, dans l'ouverture, est disposée de façon à entrer en contact avec la surface latérale de la couche semi-conductrice. L'électrode de grille, dans l'ouverture, est disposée de façon à entrer en contact avec la surface latérale de la couche d'isolation de grille d'une manière comprenant une région qui fait face à la couche semi-conductrice. 電気特性が良好な半導体装置を提供する。 トランジスタと、第１の絶縁層と、を有し、トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、半導体層、ゲート絶縁層、及びゲート電極を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第１の絶縁層に埋め込まれるように対向して設けられ、第１の絶縁層は、ソース