CHARGED PARTICLE APPARATUS WITH IMPROVED VACUUM CHAMBER

An electron beam source is configured in an ultra-high vacuum chamber. Gas molecules are prevented from reaching an emission tip of the electron source by a differential aperture system. The differential aperture system may comprise at least one aperture plate configured to seal a region of the vacuum chamber from an outgassing source so that gas molecules may only pass from the source to the region by holes in the at least one aperture plate. Une source de faisceau d'électrons est configurée dans une chambre à vide ultra-poussé. Des molécules de gaz sont empêchées d'atteindre une pointe d'émission de la source d'électrons par un système d'ouverture différentielle. Le système d'ouverture différentielle peut comprendre au moins une plaque d'ouverture configurée pour fermer hermétiquement une région de la chambre à vide vis-à-vis d'une source de dégazage de telle sorte que des molécules de gaz peuvent seulement passer de la source à la région par des trous ménagés dans la ou les plaques d'ouverture.