METHODS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURES

The present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor structure. The method comprises providing a first structure. The first structure comprises a first substrate. The method comprises providing a second structure. The second structure comprises a second substrate and a first device metal layer on and in contact with the second substrate. The second substrate comprises a single crystalline semiconductor material and an implanted hydrogen layer. The method comprises bonding the first structure and the second structure by a bonding layer to form a bonded structure. The method comprises removing a portion of the second substrate from approximately the implanted hydrogen layer to form a first semiconductor layer. The method comprises patterning the first semiconductor layer. The method comprises forming at least one of a second device metal layer and a second conductive metal layer. La présente divulgation concerne un procédé de fabrication d'une structure semi-conductrice. Le procédé consiste à fournir une première structure. La première structure comprend un premier substrat. Le procédé consiste à fournir une seconde structure. La seconde structure comprend un second substrat et une première couche métallique de dispositif sur le second substrat et en contact avec celui-ci. Le second substrat comprend un matériau semi-conducteur monocristallin et une couche d'hydrogène implantée. Le procédé comprend la liaison de la première structure et de la seconde structure par une couche de liaison pour former une structure liée. Le procédé consiste à retirer une partie du second substrat d'approximativement la couche d'hydrogène implantée afin de former une première couche semi-conductrice. Le procédé consiste à former des motifs sur la première couche semi-conductrice. Le procédé consiste à former une seconde couche métallique de dispositif et/ou une seconde couche métallique conductrice.