METHODS AND CIRCUITS FOR READING AND WRITING PI-STATE-INDUCED CIRCULATING CURRENTS INTO SUPERCONDUCTING CIRCUITS CONTAINING MAGNETIC JOSEPHSON JUNCTIONS
A write circuit for an MJJ-based memory circuit includes first and second current sources configured to generate first and second currents, respectively. The first current imparting an easy axis magnetic field component on an MJJ in a selected memory cell during a write operation. The second current...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | A write circuit for an MJJ-based memory circuit includes first and second current sources configured to generate first and second currents, respectively. The first current imparting an easy axis magnetic field component on an MJJ in a selected memory cell during a write operation. The second current inducing a third current in the selected memory cell that passes through the MJJ, the third current being a seed current for setting a π-state current of the MJJ in a superconducting loop of the selected memory cell. The first current source is configured such that, during the write operation, the MJJ cell transitions: (i) from a π-state, in which a clockwise or counter-clockwise current circulates in the superconducting loop, to a zero-state, in which no current circulates in the superconducting loop, back to the π-state; or (ii) from the zero-state to the π-state; or (iii) from the π-state to the zero-state.
Un circuit d'écriture pour un circuit de mémoire basé sur des jonctions Josephson magnétiques (MJJ) comprend des première et deuxièmes sources de courant conçues pour générer des premier et deuxièmes courants, respectivement. Le premier courant applique une composante de champ magnétique d'axe facile sur une MJJ dans une cellule de mémoire sélectionnée pendant une opération d'écriture. Le deuxième courant induit un troisième courant dans la cellule de mémoire sélectionnée qui passe à travers la MJJ, le troisième courant étant un courant de germe destiné à régler un courant d'état pi de la MJJ dans une boucle supraconductrice de la cellule de mémoire sélectionnée. La première source de courant est conçue de telle sorte que, pendant l'opération d'écriture, la cellule de MJJ passant : (i) d'un état π, dans lequel un courant dans le sens des aiguilles d'une montre ou dans le sens inverse des aiguilles d'une montre circule dans la boucle supraconductrice, à un état zéro, dans lequel aucun courant ne circule dans la boucle supraconductrice, puis de nouveau à l'état π ; ou (ii) de l'état zéro à l'état π ; ou (iii) de l'état π à l'état zéro. |
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