SILICON (SI) DRY ETCH FOR DIE-TO-WAFER THINNING

A method of thinning a die engaged with a substrate is disclosed, utilizing dry etching of a top surface of the die with a plasma comprising fluorine to selectively remove the top surface of the die relative to a top surface of the substrate. And a method of thinning a chip bonded to a wafer substrate comprises dry etching, in a processing chamber, a top surface of the chip with a plasma comprising fluorine formed from SF6, CF4, C4F8 or a combination thereof to selectively remove the top surface of the chip relative to a top surface of the wafer substrate; wherein the chip comprises silicon; wherein at least a portion of a top surface of the wafer substrate comprises a protective layer; wherein at least one metal pad is embedded completely within the chip bonded to the wafer substrate, at least one metal pad is disposed beneath the protective layer, or both; and wherein no metal pad is contacted by the plasma comprising fluorine during the dry etching process. L'invention concerne un procédé d'amincissement d'une puce en prise avec un substrat, en utilisant la gravure sèche d'une surface supérieure de la puce avec un plasma comprenant du fluor pour retirer de manière sélective la surface supérieure de la puce par rapport à une surface supérieure du substrat. Un procédé d'amincissement d'une puce liée à un substrat de tranche consiste à graver à sec, dans une chambre de traitement, une surface supérieure de la puce avec un plasma comprenant du fluor formé à partir de SF6, CF4, C4F8 ou une combinaison de ceux-ci pour retirer de manière sélective la surface supérieure de la puce par rapport à une surface supérieure du substrat de tranche ; la puce comprenant du silicium ; au moins une partie d'une surface supérieure du substrat de tranche comprenant une couche de protection ; au moins un plot métallique étant intégré complètement à l'intérieur de la puce liée au substrat de tranche, au moins un plot métallique étant disposé sous la couche de protection, ou les deux ; et aucun plot métallique n'étant mis en contact par le plasma comprenant du fluor pendant le processus de gravure sèche.