SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND MEMORY DEVICES AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

The present disclosure relates to semiconductor structures, memory devices, and methods for making the same. The semiconductor structure comprises a first doped region, a second doped region, a first ohmic contact, a second ohmic contact, and a first dielectric structure. The second doped region is in contact with the first doped region. The first ohmic contact is in contact with a bottom surface of the first doped region. The second ohmic contact is in contact with a top surface of the second doped region. The first dielectric structure surrounds each of the first doped region, the second doped region, the first ohmic contact, and the second ohmic contact. The first doped region is doped with a first conductivity-type of dopant, and the second doped region is doped with a second conductivity-type of dopant opposite to the first conductivity-type, such that a p-n junction is formed between the first doped region and the second doped region. La présente divulgation concerne des structures semi-conductrices, des dispositifs de mémoire et leurs procédés de fabrication. La structure semi-conductrice comprend une première région dopée, une seconde région dopée, un premier contact ohmique, un second contact ohmique et une première structure diélectrique. La seconde région dopée est en contact avec la première région dopée. Le premier contact ohmique est en contact avec une surface inférieure de la première région dopée. Le second contact ohmique est en contact avec une surface supérieure de la seconde région dopée. La première structure diélectrique entoure la première région dopée, la seconde région dopée, le premier contact ohmique et le second contact ohmique. La première région dopée est dopée avec un premier type de conductivité de dopant, et la seconde région dopée est dopée avec un second type de conductivité de dopant opposé au premier type de conductivité, de sorte qu'une jonction p-n est formée entre la première région dopée et la seconde région dopée. Une jonction ohmique est formée entre la première région dopée et le premier contact ohmique. Une jonction ohmique est formée entre la seconde région dopée et le second contact ohmique.