SOLID-STATE IMAGING DEVICE

The present technology relates to a solid-state imaging device that makes it possible to obtain an image with increased quality. This solid-state imaging device comprises a pixel array unit that has a plurality of unit pixels, the unit pixels including a first pixel, a second pixel having a lower sensitivity than the first pixel, and four charge storage capacitances provided between the first pixel and the second pixel. A switch transistor for coupling charge storage capacitances adjacent to each other are provided between the charge storage capacitances. The present technology can be applied to a CMOS image sensor. La présente technologie porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui permet d'obtenir une image avec une qualité accrue. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une unité de réseau de pixels qui a une pluralité de pixels unitaires, les pixels unitaires comprenant un premier pixel, un second pixel ayant une sensibilité inférieure à celle du premier pixel, et quatre capacités de stockage de charge disposées entre le premier pixel et le second pixel. Un transistor de commutation pour coupler des capacités de stockage de charge adjacentes les unes aux autres est disposé entre les capacités de stockage de charge. La présente technologie peut être appliquée à un capteur d'images CMOS. 本技術は、より高品質な画像を得ることができるようにする固体撮像装置に関する。 固体撮像装置は、複数の単位画素が設けられた画素アレイ部を備え、単位画素は、第１の画素と、第１の画素より感度が低い第２の画素と、第１の画素と第２の画素との間に設けられた４つの電荷蓄積容量とを有し、互いに隣接する電荷蓄積容量の間には、それらの電荷蓄積容量を結合させるためのスイッチトランジスタが設けられている。本技術はCMOSイメージセンサに適用することができる。