POWER STORAGE PACK, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

This power storage pack (100) comprises: a power storage cell (3); a power storage tab (80AB) connected to the power storage cell (3); a protection circuit substrate (60) that protects the power storage cell (3) from over-charging or over-discharging; a chip-size package-type semiconductor element (2A) that is mounted face down on the protection circuit substrate (60); and a metal plate for joining the power storage tab (70AB) that is connected to the semiconductor element (2A) on a first main surface, and that has a part with a thickness of 0.2 mm or less. The metal plate for joining a power storage tab (70AB) is joined to the power storage tab (80AB) on a second main surface facing away from the first main surface so as to have an overlapping part in which the power storage tab (80AB), the metal plate for joining a power storage tab (70AB), the semiconductor element (2A), and the protection circuit substrate (60) overlap in the plan view of the protection circuit substrate (60), and there is a part in which a region that can become a conduction path between the power storage tab (80AB) and the protection circuit substrate (60) overlaps with the abovementioned overlapping part in the plan view of the protection circuit substrate (60). La présente invention concerne un bloc de stockage d'énergie (100) qui comprend : une cellule de stockage d'énergie (3) ; une languette de stockage d'énergie (80AB) connectée à la cellule de stockage d'énergie (3) ; un substrat de circuit de protection (60) qui protège la cellule de stockage d'énergie (3) d'une surcharge ou d'une surdécharge ; un élément semi-conducteur de type paquet de taille de puce (2A) qui est monté face vers le bas sur le substrat de circuit de protection (60) ; et une plaque métallique pour joindre la languette de stockage d'énergie (70AB) qui est connectée à l'élément semi-conducteur (2A) sur une première surface principale, et qui a une partie dont l'épaisseur est inférieure ou égale à 0,2 mm. La plaque métallique pour joindre une languette de stockage d'énergie (70AB) est reliée à la languette de stockage d'énergie (80AB) sur une seconde surface principale orientée à l'opposé de la première surface principale de manière à avoir une partie de chevauchement dans laquelle la languette de stockage d'énergie (80AB), la plaque métallique pour joindre une languette de stockage d'énergie (70AB), l'élément semi-conducteur (2A), et le substrat de circuit de protection (60) se chevauchent dans une vue en plan