A NEW DESIGN CONCEPT OF SCANNING ELECTRON MICROSCOPE WITH CHARGED PARTICLE SOURCE

A particle beam inspection apparatus, and more particularly, a method of particle beam parameter variation compensation for image inspection and enhancement are disclosed. A primary beam emission current may be continuously monitored to compensate for an emission current fluctuation. The fluctuation may be compensated by adjusting a characteristic of the electron source or a sub-system within the charged particle system. An event-based detection system may be used to measure a number of electrons impacting a detector within a period of time with a location on a sample and normalize a generated image of the sample. A deflector may adjust a deflection speed of the primary beam across the sample to compensate for emission current fluctuation while maintaining a constant dose impacting a sample. Thus, image quality is improved, sources of error during sample inspection are minimized, metrology measurement accuracy is improved, and throughput is increased. Un appareil d'inspection de faisceau de particules et, plus particulièrement, un procédé de compensation de variation de paramètre de faisceau de particules aux fins d'une inspection et d'une amélioration d'image sont divulgués. Un courant d'émission de faisceau primaire peut être surveillé en continu pour compenser une fluctuation de courant d'émission. La fluctuation peut être compensée par ajustement d'une caractéristique de la source d'électrons ou d'un sous-système au sein du système de particules chargées. Un système de détection basé sur un événement peut être utilisé pour mesurer un nombre d'électrons impactant un détecteur dans une période de temps avec un emplacement sur un échantillon et normaliser une image générée de l'échantillon. Un déflecteur peut ajuster une vitesse de déviation du faisceau primaire à travers l'échantillon pour compenser une fluctuation de courant d'émission tout en maintenant une dose constante impactant un échantillon. Ainsi, la qualité d'image est améliorée, les sources d'erreur lors de l'inspection d'échantillon sont réduites au minimum, la précision de mesure de métrologie est améliorée, et le débit est accru.