METHOD AND DEVICE FOR MASK INSPECTION
The invention relates to a method and a device for mask inspection, wherein the mask is designed for operation in reflection at an operating wavelength of less than 30 nm and is intended to be illuminated in a lithography process in a projection exposure apparatus for exposing a wafer. In a method a...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The invention relates to a method and a device for mask inspection, wherein the mask is designed for operation in reflection at an operating wavelength of less than 30 nm and is intended to be illuminated in a lithography process in a projection exposure apparatus for exposing a wafer. In a method according to the invention, an object field (1260) situated in an object plane (OP) and illuminated with EUV radiation having a wavelength of less than 30 nm by way of an illumination system (1310) is imaged by a projection lens (1220, 1320) onto an image field (230, 330, 430, 530, 630, 730, 930, 1030, 1 130) situated in an image plane (IP), wherein a sensor arrangement (200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000, 1 100, 1340) having a plurality of sensors (201, 202,..., 301, 302,...) is situated in the image plane, wherein the mask (1330) is guided over the object field in the object plane in a scanning operation, and wherein an image of the mask is formed by combining sensor images captured by each of the individual sensors in the scanning operation.
L'invention concerne un procédé et un dispositif pour l'inspection de masque, le masque étant conçu pour fonctionner en réflexion à une longueur d'onde de fonctionnement inférieure à 30 nm et étant destiné à être éclairé dans un processus de lithographie dans un appareil d'exposition par projection pour exposer une tranche. Dans un procédé selon l'invention, un champ d'objet (1260) situé dans un plan d'objet (OP) et éclairé par un rayonnement EUV ayant une longueur d'onde inférieure à 30 nm au moyen d'un système d'éclairage (1310) est imagé par une lentille de projection (1220, 1320) sur un champ d'image (230, 330, 430, 530, 630, 730, 930, 1030, 1 130) situé dans un plan d'image (IP), un agencement de capteurs (200, 300, 400, 500, 600, 700, 900, 1000, 1 100, 1340) comportant une pluralité de capteurs (201, 202, ..., 301, 302, ...) étant situé dans le plan d'image, le masque (1330) étant guidé au-dessus du champ d'objet dans le plan d'objet dans une opération de balayage, et une image du masque étant formée en combinant des images de capteur capturées par chacun des capteurs individuels dans l'opération de balayage. |
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