VISUALIZATION SYSTEM INCLUDING TUNNEL JUNCTION BASED RGB DIE WITH ISOLATED ACTIVE REGIONS

Provided is a visualization system including an LED comprised of a tunnel junction based RGB die with isolated active regions. The µLED die of one or more embodiments advantageously requires three plated metals and one common cathode per red-green-blue (RGB) pixel group. Additionally, the µLED die o...

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1. Verfasser: LOPEZ, Toni
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Provided is a visualization system including an LED comprised of a tunnel junction based RGB die with isolated active regions. The µLED die of one or more embodiments advantageously requires three plated metals and one common cathode per red-green-blue (RGB) pixel group. Additionally, the µLED die of one or more embodiments allows for better control of emission color than in known RGB technologies. A red pixel, a green pixel, and a blue pixel are grown sequentially on the same epitaxial wafer. Each pixel contains at least one active region and at least one tunnel junction. Each active region emits light of different wavelength than the other active region(s). The epitaxy includes at least one tunnel junction to avoid the need for contacts to etched p-GaN layers. The wafer is etched into multi-level mesas creating connected to multi-level plated metals. All of the junctions may share a common cathode. Est prévu un système de visualisation comprenant uneLED composée d'une puce RVB basée sur une jonction tunnel avec des régions actives isolées. La puce µLED d'un ou de plusieurs modes de réalisation nécessite avantageusement trois métaux plaqués et un groupe de pixels à cathode commune par rouge-vert-bleu (RVB). De plus, la puce µLED d'un ou de plusieurs modes de réalisation permet une meilleure commande de la couleur d'émission que dans les technologies RVB connues. Un pixel rouge, un pixel vert et un pixel bleu sont développés séquentiellement sur la même tranche épitaxiale. Chaque pixel contient au moins une région active et au moins une jonction tunnel. Chaque région active émet de la lumière de longueur d'onde différente de celle de l'autre ou des autres régions actives. L'épitaxie comprend au moins une jonction tunnel pour éviter le besoin de contacts avec des couches p-GaN gravées. La tranche est gravée dans des mésas à plusieurs niveaux créés connectés à des métaux plaqués à plusieurs niveaux. Toutes les jonctions peuvent partager une cathode commune.