TUNNEL JUNCTION BASED RGB DIE AND DRIVING SCHEME

Provided is a tunnel junction based RGB die and driving scheme. The µLED die of one or more embodiments advantageously requires three plated metals and one common cathode per red-green-blue (RGB) pixel group. Additionally, the µLED die of one or more embodiments allows for better control of emission color than in known RGB technologies. A red pixel, a green pixel, and a blue pixel are grown sequentially on the same epitaxial wafer. A driving scheme is provided that includes a single current source per RGB pixel. This is enabled by way of using PWM switches and a proper selection of the active region area per active region color. L'invention se rapporte à une puce RVB basée sur une jonction tunnel et à un schéma de commande. La puce µLED d'un ou de plusieurs modes de réalisation nécessite avantageusement trois métaux plaqués et une cathode commune par groupe de pixels rouge-vert-bleu (RVB). De plus, la puce µLED d'un ou de plusieurs modes de réalisation permet une meilleure commande de la couleur d'émission que dans les technologies RVB connues. Un pixel rouge, un pixel vert et un pixel bleu sont développés de manière séquentielle sur la même tranche épitaxiale. L'invention concerne un schéma de commande qui comprend une source de courant unique par pixel RVB. Ceci est rendu possible au moyen de commutateurs PWM et d'une sélection appropriée de la zone de région active par couleur de région active.