RESIST COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, COMPOUND, AND ACID DIFFUSION CONTROL AGENT

The present invention uses a resist composition containing: a base material component of which the solubility in a developer solution changes due to the action of an acid; and a compound represented by general formula (d0). In the formula (d0), Rf is a hydrocarbon group which may have a fluorine atom. L2 is a divalent cyclic group which may have a substituent. L1 and L3 are each independently a divalent linking group. x is an integer of 1-4. Rd0 is an iodine atom or a bromine atom. y is an integer of 1-4. z is an integer of 0-3. However, 2≤x+y+z≤5. (Mm+)1/m is a counter cation. m is an integer of 1 or more. By using this resist composition when forming a resist pattern, sensitivity is increased and roughness is reduced, and it is possible to form a pattern having a good shape with increased rectangularity. La présente invention utilise une composition de photorésine contenant : un composant de matériau de base dont la solubilité dans une solution de révélateur change en raison de l'action d'un acide ; et un composé représenté par la formule générale (d0). Dans la formule (d0), Rf est un groupe hydrocarboné qui peut avoir un atome de fluor. L2 est un groupe cyclique divalent qui peut avoir un substituant. L1 et L3 sont chacun indépendamment un groupe de liaison divalent. X est un nombre entier compris entre 1 et 4. Rd0 est un atome d'iode ou un atome de brome. Y est un nombre entier compris entre 1 et 4. Z est un nombre entier compris entre 0 et 3. Cependant, 2 ≤ x + y + z ≤ 5. (Mm+)1/m est un contre-cation. m est un nombre entier supérieur ou égal à 1. En utilisant cette composition de photorésine lors de la formation d'un motif de photorésine, la sensibilité est augmentée et la rugosité est réduite, et il est possible de former un motif ayant une bonne forme et une rectangularité accrue. 本発明は、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｄ０）で表される化合物と、を含有するレジスト組成物を採用する。式（ｄ０）中、Ｒｆは、フッ素原子を有してもよい炭化水素基である。Ｌ２は、置換基を有してもよい２価の環式基である。Ｌ１及びＬ３は、それぞれ独立に、２価の連結基である。ｘは、１～４の整数である。Ｒｄ０は、ヨウ素原子又は臭素原子である。ｙは、１～４の整数である。ｚは、０～３の整数である。ただし、２≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦５である。（Ｍｍ＋）１／ｍは、対カチオンである。ｍは１以上の整数である。かかるレジスト組成物によれば、レジストパターンを形成する際、高感度化とラフネス低減との両立が図られるとともに、矩形性が高められた良好な形状のパターンを形成することができる。