THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH DIELECTRIC FINS IN STAIRCASE REGION AND METHODS OF MAKING THEREOF

A memory device is formed by forming an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers over a substrate, forming memory openings through the alternating stack, forming memory opening fill structures in the memory openings, forming an access trench through a portion of the alt...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: TANAKA, Yudai, OKAMOTO, Katsufumi, SUGIURA, Kenji, EHARA, Ryoichi, FUNAYAMA, Kota
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A memory device is formed by forming an alternating stack of insulating layers and sacrificial material layers over a substrate, forming memory openings through the alternating stack, forming memory opening fill structures in the memory openings, forming an access trench through a portion of the alternating stack forming an access trench fill structure in the access cavity, and iteratively performing multiple instances of a unit processing sequence. Each instance of the unit processing sequence includes a vertical recess etch step that vertically recesses the access trench fill structure and an isotropic etch step that isotropically recesses the sacrificial material layers. A finned access cavity is formed after the multiple instances of the unit processing sequence. A finned dielectric support structure is formed in the finned access cavity, and the sacrificial material layers are replaced with electrically conductive layers. Dispositif de mémoire formé par formation d'un empilement alterné de couches isolantes et de couches de matériau sacrificiel sur un substrat, formation d'ouvertures de mémoire à travers l'empilement alterné, formation de structures de remplissage d'ouverture de mémoire dans les ouvertures de mémoire, formation d'une tranchée d'accès à travers une partie de l'empilement alterné formant une structure de remplissage de tranchée d'accès dans la cavité d'accès, et réalisation itérative de multiples instances d'une séquence de traitement unitaire. Chaque instance de la séquence de traitement unitaire comprend une étape de gravure d'évidement vertical qui évide verticalement la structure de remplissage de tranchée d'accès et une étape de gravure isotrope qui évide de manière isotrope les couches de matériau sacrificiel. Une cavité d'accès à ailettes est formée après les multiples instances de la séquence de traitement unitaire. Une structure de support diélectrique à ailettes est formée dans la cavité d'accès à ailettes, et les couches de matériau sacrificiel sont remplacées par des couches électroconductrices.