3D MEMORY INCLUDING HOLLOW EPITAXIAL CHANNELS

Disclosed are approaches for fabricating 3D NAND flash memory structures including hollow epitaxial channels. One approach for fabricating a 3D NAND memory structure may include forming a plurality of alternating material layers arranged in a vertical stack on a substrate, etching a channel hole that extends through the plurality of alternating material layers to the substrate, and forming a tunneling layer around the channel hole contacting the plurality of alternating material layers. The method may further include forming a channel liner along the tunneling layer, forming a core gap material within the channel liner, removing the channel liner from the channel hole, and epitaxially growing a hollow epitaxial silicon core from the substrate through the channel hole, between the tunneling layer and the core gap material. L'invention divulgue des approches pour fabriquer des structures de mémoire flash NON-ET 3D comprenant des canaux épitaxiaux creux. Une approche pour fabriquer une structure de mémoire NON-ET 3D peut consister à former une pluralité de couches de matériau en alternance agencées dans un empilement vertical sur un substrat, à graver un trou de canal qui s'étend à travers la pluralité de couches de matériau en alternance vers le substrat, et à former une couche de tunnellisation autour du trou de canal en contact avec la pluralité de couches de matériau en alternance. Le procédé peut en outre consister à former un revêtement de canal le long de la couche de tunnellisation, à former un matériau d'espace de noyau à l'intérieur du revêtement de canal, à retirer le revêtement de canal du trou de canal, et à faire croître de manière épitaxiale un noyau de silicium épitaxial creux à partir du substrat à travers le trou de canal, entre la couche de tunnellisation et le matériau d'espace de noyau.