WORDLINE CONTACT FORMATION FOR NAND DEVICE
Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3-D NAND devices. One method may include providing a film stack including a plurality of alternating first layers and second layers, and forming a plurality of contact openings in the film stack, wherein each contact opening is forme...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre |
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| Zusammenfassung: | Disclosed are approaches for direct wordline contact formation for 3-D NAND devices. One method may include providing a film stack including a plurality of alternating first layers and second layers, and forming a plurality of contact openings in the film stack, wherein each contact opening is formed to a different etch depth relative to an upper surface of the film stack. The method may further include depositing a liner over the film stack including within each of the contact openings, removing the first layers to form a plurality of wordline openings in the film stack, and forming a plurality of wordlines by depositing a first conductive material within the wordline openings. The method may further include removing the liner from a bottom of each contact opening, and depositing a second conductive material within the contact openings to form a plurality of wordline contacts.
L'invention concerne des approches pour la formation de contact direct de ligne de mots pour des dispositifs NON-ET 3D. Un procédé peut comprendre la fourniture d'un empilement de films comprenant une pluralité de premières couches et de secondes couches alternées, et la formation d'une pluralité d'ouvertures de contact dans l'empilement de films, chaque ouverture de contact étant formée à une profondeur de gravure différente par rapport à une surface supérieure de l'empilement de films. Le procédé peut en outre comprendre le dépôt d'un revêtement sur l'empilement de films comprenant à l'intérieur de chacune des ouvertures de contact, le retrait des premières couches pour former une pluralité d'ouvertures de ligne de mots dans l'empilement de films, et la formation d'une pluralité de lignes de mots par dépôt d'un premier matériau conducteur à l'intérieur des ouvertures de ligne de mots. Le procédé peut en outre consister à retirer le revêtement d'un fond de chaque ouverture de contact, et à déposer un second matériau conducteur à l'intérieur des ouvertures de contact pour former une pluralité de contacts de ligne de mots. |
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