NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

A nitride semiconductor device (1) comprises a substrate (10), a drift layer (12), an undoped barrier layer (14) having a greater band gap than the drift layer (12), a current block layer (16), a semiconductor multilayer film (21) including a channel, at least some of the semiconductor multilayer film (21) having been disposed over the current block layer (16), a gate electrode (34) lying, in a plan view, in the same position as a gate opening (20) piercing the barrier layer (14) and the current block layer (16) to reach the drift layer (12), a source electrode (32) disposed apart from the gate electrode (34), a drain electrode (36) disposed beneath the substrate (10), and an insulating film (42) disposed over the gate electrode (34), wherein a groove portion (40) disposed at a terminal end (3) and piercing the current block layer (16) to reach the barrier layer (14) has a bottom (40a) and a sidewall (40b), which are covered with the insulating film (42). La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur au nitrure (1) qui comprend un substrat (10), une couche de dérive (12), une couche barrière non dopée (14) dont la bande interdite est supérieure à celle de la couche de dérive (12), une couche de blocage de courant (16), un film multicouche semi-conducteur (21) comprenant un canal, au moins une partie du film multicouche semi-conducteur (21) ayant été disposée sur la couche de blocage de courant (16), une électrode de grille (34) se trouvant, dans une vue en plan, dans la même position qu'une ouverture de grille (20) perçant la couche barrière (14) et la couche de blocage de courant (16) pour atteindre la couche de dérive (12), une électrode de source (32) disposée à l'écart de l'électrode de grille (34), une électrode de drain (36) disposée sous le substrat (10), et un film isolant (42) disposé sur l'électrode de grille (34), une partie de rainure (40) disposée à une extrémité terminale (3) et perçant la couche de blocage de courant (16) pour atteindre la couche barrière (14) ayant un fond (40a) et une paroi latérale (40b), qui sont revêtus du film isolant (42). 窒化物半導体デバイス（１）は、基板（１０）と、ドリフト層（１２）と、ドリフト層（１２）よりもバンドギャップが大きく、かつ、アンドープの障壁層（１４）と、電流ブロック層（１６）と、チャネルを含み、少なくとも一部が電流ブロック層（１６）の上方に配置された半導体多層膜（２１）と、障壁層（１４）および電流ブロック層（１６）を貫通してドリフト層（１２）に達するゲート開口部（２０）に平面視において重なるゲート電極（３４）と、ゲート電極（３４）と離間して配置されたソース電極（３２）と、基板（１０）の下方に配置されたドレイン電極（３６）と、ゲート電極（３４）の上方に配置された絶縁膜（４２）と、を備え、終端部（３）に設けられた溝部（４０）であって、電流ブロック層（１６）を貫通して障壁層（１４）に達する溝部（４０）の底部（４０ａ）および側壁（４０ｂ）を絶縁膜（４２）が覆っている。