SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR
Provided is a semiconductor pressure chip sensor having excellent responsiveness and corrosion resistance. The semiconductor pressure chip sensor comprises: a sensor body 5 made of a semiconductor material; and a pressure sensor element provided to the sensor body 5. A diaphragm 8 is interposed betw...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; jpn |
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container_issue | |
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creator | SHINMURA Hidenobu KIDO Keiji NOGUCHI Michitaka TANAKA Osamu |
description | Provided is a semiconductor pressure chip sensor having excellent responsiveness and corrosion resistance. The semiconductor pressure chip sensor comprises: a sensor body 5 made of a semiconductor material; and a pressure sensor element provided to the sensor body 5. A diaphragm 8 is interposed between the sensor body 5 and a fluid which is subjected to pressure detection by the pressure sensor element.
L'invention concerne un capteur de pression à puce à semi-conducteur ayant une excellente réactivité et une excellente résistance à la corrosion. Le capteur de pression à puce à semi-conducteur comprend : un corps de capteur (5) constitué d'un matériau semi-conducteur ; et un élément de capteur de pression disposé sur le corps de capteur (5). Un diaphragme (8) est interposé entre le corps de capteur (5) et un fluide qui est soumis à une détection de pression par l'élément de capteur de pression.
応答性に優れ、しかも耐食性を有する半導体圧力チップセンサを提供する。半導体材料によって作製されているセンサ本体5と、センサ本体5に設けられた圧力センサ素子を有し、センサ本体5と、圧力センサ素子によって圧力を検出される流体との間には隔膜8を介在させている。 |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2024116419A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2024116419A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2024116419A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFAKdvX1dPb3cwl1DvEPUggIcg0ODg1yVXD28AxQCHb1C_YP4mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGJoaGZiaGlo6GxsSpAgDlkiOr</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR</title><source>esp@cenet</source><creator>SHINMURA Hidenobu ; KIDO Keiji ; NOGUCHI Michitaka ; TANAKA Osamu</creator><creatorcontrib>SHINMURA Hidenobu ; KIDO Keiji ; NOGUCHI Michitaka ; TANAKA Osamu</creatorcontrib><description>Provided is a semiconductor pressure chip sensor having excellent responsiveness and corrosion resistance. The semiconductor pressure chip sensor comprises: a sensor body 5 made of a semiconductor material; and a pressure sensor element provided to the sensor body 5. A diaphragm 8 is interposed between the sensor body 5 and a fluid which is subjected to pressure detection by the pressure sensor element.
L'invention concerne un capteur de pression à puce à semi-conducteur ayant une excellente réactivité et une excellente résistance à la corrosion. Le capteur de pression à puce à semi-conducteur comprend : un corps de capteur (5) constitué d'un matériau semi-conducteur ; et un élément de capteur de pression disposé sur le corps de capteur (5). Un diaphragme (8) est interposé entre le corps de capteur (5) et un fluide qui est soumis à une détection de pression par l'élément de capteur de pression.
応答性に優れ、しかも耐食性を有する半導体圧力チップセンサを提供する。半導体材料によって作製されているセンサ本体5と、センサ本体5に設けられた圧力センサ素子を有し、センサ本体5と、圧力センサ素子によって圧力を検出される流体との間には隔膜8を介在させている。</description><language>eng ; fre ; jpn</language><subject>MEASURING ; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE ; PHYSICS ; TESTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240606&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024116419A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240606&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024116419A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SHINMURA Hidenobu</creatorcontrib><creatorcontrib>KIDO Keiji</creatorcontrib><creatorcontrib>NOGUCHI Michitaka</creatorcontrib><creatorcontrib>TANAKA Osamu</creatorcontrib><title>SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR</title><description>Provided is a semiconductor pressure chip sensor having excellent responsiveness and corrosion resistance. The semiconductor pressure chip sensor comprises: a sensor body 5 made of a semiconductor material; and a pressure sensor element provided to the sensor body 5. A diaphragm 8 is interposed between the sensor body 5 and a fluid which is subjected to pressure detection by the pressure sensor element.
L'invention concerne un capteur de pression à puce à semi-conducteur ayant une excellente réactivité et une excellente résistance à la corrosion. Le capteur de pression à puce à semi-conducteur comprend : un corps de capteur (5) constitué d'un matériau semi-conducteur ; et un élément de capteur de pression disposé sur le corps de capteur (5). Un diaphragme (8) est interposé entre le corps de capteur (5) et un fluide qui est soumis à une détection de pression par l'élément de capteur de pression.
応答性に優れ、しかも耐食性を有する半導体圧力チップセンサを提供する。半導体材料によって作製されているセンサ本体5と、センサ本体5に設けられた圧力センサ素子を有し、センサ本体5と、圧力センサ素子によって圧力を検出される流体との間には隔膜8を介在させている。</description><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFAKdvX1dPb3cwl1DvEPUggIcg0ODg1yVXD28AxQCHb1C_YP4mFgTUvMKU7lhdLcDMpuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8eH-RgZGJoaGZiaGlo6GxsSpAgDlkiOr</recordid><startdate>20240606</startdate><enddate>20240606</enddate><creator>SHINMURA Hidenobu</creator><creator>KIDO Keiji</creator><creator>NOGUCHI Michitaka</creator><creator>TANAKA Osamu</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240606</creationdate><title>SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR</title><author>SHINMURA Hidenobu ; KIDO Keiji ; NOGUCHI Michitaka ; TANAKA Osamu</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024116419A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre ; jpn</language><creationdate>2024</creationdate><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SHINMURA Hidenobu</creatorcontrib><creatorcontrib>KIDO Keiji</creatorcontrib><creatorcontrib>NOGUCHI Michitaka</creatorcontrib><creatorcontrib>TANAKA Osamu</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SHINMURA Hidenobu</au><au>KIDO Keiji</au><au>NOGUCHI Michitaka</au><au>TANAKA Osamu</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR</title><date>2024-06-06</date><risdate>2024</risdate><abstract>Provided is a semiconductor pressure chip sensor having excellent responsiveness and corrosion resistance. The semiconductor pressure chip sensor comprises: a sensor body 5 made of a semiconductor material; and a pressure sensor element provided to the sensor body 5. A diaphragm 8 is interposed between the sensor body 5 and a fluid which is subjected to pressure detection by the pressure sensor element.
L'invention concerne un capteur de pression à puce à semi-conducteur ayant une excellente réactivité et une excellente résistance à la corrosion. Le capteur de pression à puce à semi-conducteur comprend : un corps de capteur (5) constitué d'un matériau semi-conducteur ; et un élément de capteur de pression disposé sur le corps de capteur (5). Un diaphragme (8) est interposé entre le corps de capteur (5) et un fluide qui est soumis à une détection de pression par l'élément de capteur de pression.
応答性に優れ、しかも耐食性を有する半導体圧力チップセンサを提供する。半導体材料によって作製されているセンサ本体5と、センサ本体5に設けられた圧力センサ素子を有し、センサ本体5と、圧力センサ素子によって圧力を検出される流体との間には隔膜8を介在させている。</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre ; jpn |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO2024116419A1 |
source | esp@cenet |
subjects | MEASURING MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE PHYSICS TESTING |
title | SEMICONDUCTOR PRESSURE CHIP SENSOR |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-04T00%3A55%3A18IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=SHINMURA%20Hidenobu&rft.date=2024-06-06&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2024116419A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |