DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)

A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology su...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: GUTMAN, Nadav, SHCHEGROV, Andrei V, MANASSEN, Amnon, LASKE, Frank
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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creator GUTMAN, Nadav
SHCHEGROV, Andrei V
MANASSEN, Amnon
LASKE, Frank
description A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data. L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.
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The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data. L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MATERIALS THEREFOR ; MEASURING ; MEASURING ANGLES ; MEASURING AREAS ; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS ; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240530&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2024112531A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20240530&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2024112531A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GUTMAN, Nadav</creatorcontrib><creatorcontrib>SHCHEGROV, Andrei V</creatorcontrib><creatorcontrib>MANASSEN, Amnon</creatorcontrib><creatorcontrib>LASKE, Frank</creatorcontrib><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><description>A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data. L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING ANGLES</subject><subject>MEASURING AREAS</subject><subject>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</subject><subject>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBycQ3zdHZVcHN1DAkNclUIDnB19nTzdFZwdXF3VQjwcXR29XX1C1FwDQryD1LQcA1w1eRhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRiaGhkamxoaOhsbEqQIA1GInGA</recordid><startdate>20240530</startdate><enddate>20240530</enddate><creator>GUTMAN, Nadav</creator><creator>SHCHEGROV, Andrei V</creator><creator>MANASSEN, Amnon</creator><creator>LASKE, Frank</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240530</creationdate><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><author>GUTMAN, Nadav ; SHCHEGROV, Andrei V ; MANASSEN, Amnon ; LASKE, Frank</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024112531A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2024</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING ANGLES</topic><topic>MEASURING AREAS</topic><topic>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</topic><topic>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GUTMAN, Nadav</creatorcontrib><creatorcontrib>SHCHEGROV, Andrei V</creatorcontrib><creatorcontrib>MANASSEN, Amnon</creatorcontrib><creatorcontrib>LASKE, Frank</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GUTMAN, Nadav</au><au>SHCHEGROV, Andrei V</au><au>MANASSEN, Amnon</au><au>LASKE, Frank</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><date>2024-05-30</date><risdate>2024</risdate><abstract>A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data. L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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