DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)
A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology su...
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Format: | Patent |
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container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | GUTMAN, Nadav SHCHEGROV, Andrei V MANASSEN, Amnon LASKE, Frank |
description | A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data.
L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2024112531A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2024112531A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2024112531A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDBycQ3zdHZVcHN1DAkNclUIDnB19nTzdFZwdXF3VQjwcXR29XX1C1FwDQryD1LQcA1w1eRhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRiaGhkamxoaOhsbEqQIA1GInGA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><source>esp@cenet</source><creator>GUTMAN, Nadav ; SHCHEGROV, Andrei V ; MANASSEN, Amnon ; LASKE, Frank</creator><creatorcontrib>GUTMAN, Nadav ; SHCHEGROV, Andrei V ; MANASSEN, Amnon ; LASKE, Frank</creatorcontrib><description>A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data.
L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</description><language>eng ; fre</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES ; MATERIALS THEREFOR ; MEASURING ; MEASURING ANGLES ; MEASURING AREAS ; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS ; MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS ; ORIGINALS THEREFOR ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240530&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024112531A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,777,882,25545,76296</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20240530&DB=EPODOC&CC=WO&NR=2024112531A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GUTMAN, Nadav</creatorcontrib><creatorcontrib>SHCHEGROV, Andrei V</creatorcontrib><creatorcontrib>MANASSEN, Amnon</creatorcontrib><creatorcontrib>LASKE, Frank</creatorcontrib><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><description>A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data.
L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING ANGLES</subject><subject>MEASURING AREAS</subject><subject>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</subject><subject>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBycQ3zdHZVcHN1DAkNclUIDnB19nTzdFZwdXF3VQjwcXR29XX1C1FwDQryD1LQcA1w1eRhYE1LzClO5YXS3AzKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfHh_kYGRiaGhkamxoaOhsbEqQIA1GInGA</recordid><startdate>20240530</startdate><enddate>20240530</enddate><creator>GUTMAN, Nadav</creator><creator>SHCHEGROV, Andrei V</creator><creator>MANASSEN, Amnon</creator><creator>LASKE, Frank</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20240530</creationdate><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><author>GUTMAN, Nadav ; SHCHEGROV, Andrei V ; MANASSEN, Amnon ; LASKE, Frank</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2024112531A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2024</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING ANGLES</topic><topic>MEASURING AREAS</topic><topic>MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS</topic><topic>MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GUTMAN, Nadav</creatorcontrib><creatorcontrib>SHCHEGROV, Andrei V</creatorcontrib><creatorcontrib>MANASSEN, Amnon</creatorcontrib><creatorcontrib>LASKE, Frank</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GUTMAN, Nadav</au><au>SHCHEGROV, Andrei V</au><au>MANASSEN, Amnon</au><au>LASKE, Frank</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE)</title><date>2024-05-30</date><risdate>2024</risdate><abstract>A system and method are disclosed for generating metrology measurements with second sub-system such as an optical sub-system. The method may include performing a training and a run-time operation. The training may include receiving first metrology data for device features from the first metrology sub-system (e.g., optical); generating first metrology measurements (e.g., critical dimensions, etc.); binning the device features into two or more device bins based on the first metrology measurements; and identifying representative metrology targets for the two or more device bins based on distributions of the first metrology measurements. The run-time operation may include receiving run-time metrology data (e.g., optical) of the representative metrology targets; and generating run-time metrology measurements based on the run-time metrology data.
L'invention divulgue un système et un procédé permettant de générer des mesures de métrologie avec un second sous-système tel qu'un sous-système optique. Le procédé peut consister à réaliser un apprentissage et une phase d'exécution. L'apprentissage peut consister à recevoir des premières données de métrologie pour des caractéristiques de dispositif en provenance du premier sous-système de métrologie (par exemple, optique) ; à générer des premières mesures de métrologie (par exemple, des dimensions critiques, etc.) ; à compartimenter les caractéristiques de dispositif en au moins deux compartiments de dispositif sur la base des premières mesures de métrologie ; et à identifier des cibles de métrologie représentatives pour les au moins deux compartiments de dispositif sur la base de distributions des premières mesures de métrologie. La phase d'exécution peut consister à recevoir des données de métrologie d'exécution (par exemple, optique) des cibles de métrologie représentatives ; et à générer des mesures de métrologie d'exécution sur la base des données de métrologie d'exécution.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; fre |
recordid | cdi_epo_espacenet_WO2024112531A1 |
source | esp@cenet |
subjects | APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES MATERIALS THEREFOR MEASURING MEASURING ANGLES MEASURING AREAS MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING |
title | DEVICE FEATURE SPECIFIC EDGE PLACEMENT ERROR (EPE) |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-19T03%3A32%3A06IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GUTMAN,%20Nadav&rft.date=2024-05-30&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2024112531A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |