METHOD AND DEVICE FOR THIN FILM PROCESS INCLUDING ACTIVATED PROTON ASSIST PLASMA ETCHING

A method for a thin film process including activated proton assist plasma etching is provided. The method for a thin film process including activated proton assist plasma etching comprises the steps of: positioning, in a process chamber, a substrate having, on the top surface thereof, at least one layer to be etched from among a metallic layer, a metallic oxide layer and a metallic nitride layer; supplying, into the process chamber, a halogenated hydrogen gas as a source gas; and generating plasma so as to etch the layer to be etched, wherein, in the etching step, protons with the same molar ratio as a halogen ion are generated while the halogenated hydrogen is ionized by the plasma, and the generated protons can assist a secondary chemical reaction in which a gaseous second etching by-product is synthesized, under process conditions of the etching step, from a first etching by-product synthesized through a primary chemical reaction between a metal atom forming the layer to be etched and a halogenated hydrogen radical or the halogen ion. L'invention propose un procédé de traitement à film mince comprenant une gravure par plasma assistée par protons activée. Le procédé de traitement à film mince comprenant une gravure par plasma assistée par protons activée comprend les étapes comprenant : le positionnement, dans une chambre de traitement, d'un substrat possédant, sur sa surface supérieure, au moins une couche à graver parmi une couche métallique, une couche d'oxyde métallique et une couche de nitrure métallique ; la fourniture, dans la chambre de traitement, d'un gaz hydrogène halogéné en tant que gaz source ; et la génération d'un plasma de façon à graver la couche à graver où, dans l'étape de gravure, des protons possédant le même rapport molaire qu'un ion halogène sont générés tandis que l'hydrogène halogéné est ionisé par le plasma, et les protons générés peuvent aider une réaction chimique secondaire dans laquelle un second sous-produit de gravure gazeux est synthétisé, dans des conditions de traitement de l'étape de gravure, à partir d'un premier sous-produit de gravure synthétisé par l'intermédiaire d'une réaction chimique primaire entre un atome métallique formant la couche à graver et un radical hydrogène halogéné ou l'ion halogène. 활성화된 프로톤 어시스트 플라즈마 식각을 포함하는 박막공정 방법이 제공된다. 상기 활성화된 프로톤 어시스트 플라즈마 식각을 포함하는 박막공정 방법은, 상면에 금속층, 금속산화물층 및 금속질화물층 중 적어도 어느 하나의 피식각층이 형성된 기판을 공정 챔버 내에 위치시키는 단계; 상기 공정 챔버 내로 할로겐화 수소 가스를 소스 가스로 공급하는 단계; 및 플라즈마를 발생시켜 상기 피식각층을 식