SILICON NITRIDE SINTERED COMPACT, SILICON NITRIDE SUBSTRATE, SILICON NITRIDE CIRCUIT BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Provided is a highly heat-conductive silicon nitride sintered compact capable of achieving the improvement in both of a heat conductivity and a relative permittivity. The highly heat-conductive silicon nitride sintered compact according to an embodiment comprises silicon nitride crystal grains and a grain boundary phase. The silicon nitride sintered compact has a heat conductivity is 100 W/m*K or more. The grain boundary phase present in a measurement area of 5 μm × 5 μm in an arbitrary cross-sectional surface contains Mg and a rare earth element (RE). The ratio of the number of atoms of Mg to that of the rare earth element is within the range from 0.01 to 1.5 inclusive. The relative permittivity ε10M-25 at 10 MHz and room temperature is 9.0 or less. La présente invention concerne un comprimé fritté de nitrure de silicium hautement thermoconducteur permettant d'obtenir l'amélioration à la fois d'une conductivité thermique et d'une permittivité relative. Le comprimé fritté de nitrure de silicium hautement thermoconducteur selon un mode de réalisation, comprend des grains cristallins de nitrure de silicium et une phase de joint de grain. Le comprimé fritté de nitrure de silicium présente une conductivité thermique supérieure ou égale à 100 W/m·K. La phase de joint de grain présente dans une zone de mesure de 5 µm × 5 µm dans une surface de section transversale arbitraire contient du Mg et un métal des terres rares (RE). Le rapport du nombre d'atomes de Mg à celui du métal des terres rares se situe dans la plage de 0,01 à 1,5 inclus. La permittivité relative epsilon ε10M-25 à 10 MHz à température ambiante est inférieure ou égale à 9,0. 熱伝導率と比誘電率の向上を両立可能な高熱伝導性の窒化珪素焼結体を提供する。実施形態に係る高熱伝導性の窒化珪素焼結体は、窒化珪素結晶粒子と粒界相を備える。前記窒化珪素焼結体において、熱伝導率は１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。任意の断面における測定面積５μｍ×５μｍに存在する粒界相は、Ｍｇおよび希土類元素（ＲＥ）を含む。希土類元素に対するＭｇの原子数比は、０．０１以上１．５以下の範囲内である。１０ＭＨｚ、室温の比誘電率ε１０Ｍ－２５が、９．０以下である。