SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention provides a semiconductor device which is capable of suppressing destruction of elements that is caused by the concentration of carriers in the boundary part between a diode region and an IGBT region due to the inflow of carriers into the IGBT region from the diode region during diode recovery. Provided is a semiconductor device 1 having an IGBT region 21 and a diode region 22 in the same chip, wherein: each IGBT in the IGBT region 21 comprises a drift layer 2 that has a first conductivity type, a body layer 3 that has a second conductivity type, and a first contact layer 5 that has the second conductivity type and has a higher impurity concentration than the body layer 3; each diode in the diode region 22 comprises a first semiconductor layer 11 that has the second conductivity type, and a second contact layer 12 that has the second conductivity type and has a higher impurity concentration than the first semiconductor layer 11; and the area of the second contact layer 12 of the diodes in a boundary part vicinity 24 which is close to a boundary part 23 between the IGBT region 21 and the diode region 22 is smaller than the area of the second contact layer 12 of the diodes at positions further from the boundary part 23 in comparison to the boundary part vicinity. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable de supprimer la destruction d'éléments qui est provoquée par la concentration de porteurs dans la partie de délimitation entre une région de diode et une région IGBT en raison de l'entrée de porteurs dans la région IGBT à partir de la région de diode pendant la récupération de diode. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur 1 ayant une région IGBT 21 et une région de diode 22 dans la même puce : chaque IGBT dans la région IGBT 21 comprenant une couche de dérive 2 qui a un premier type de conductivité, une couche de corps 3 qui a un second type de conductivité, et une première couche de contact 5 qui a le second type de conductivité et a une concentration d'impuretés plus élevée que la couche de corps 3 ; chaque diode dans la région de diode 22 comprend une première couche semi-conductrice 11 qui a le second type de conductivité, et une seconde couche de contact 12 qui a le second type de conductivité et a une concentration d'impuretés plus élevée que la première couche semi-conductrice 11 ; et la zone de la seconde couche de contact 12 des diodes dans un voisinage de partie de délimitation