IMPROVED EDITING OF DEEP, MULTI-LAYERED STRUCTURES

An improved system and method for circuit edit or repair within multilayer structures comprising a large number of layers including layers with thicknesses below 20nm or even less, for example below 10nm or 8nm is provided. The system and method of operation is capable of an advanced end- pointing o...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PARK, Chris, LEWIS, Brett, MORIN, Anthony, NOTTE, John, SULLIVAN, Neal, HUYNH, Chuong, MCVEY, Shawn
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An improved system and method for circuit edit or repair within multilayer structures comprising a large number of layers including layers with thicknesses below 20nm or even less, for example below 10nm or 8nm is provided. The system and method of operation is capable of an advanced end- pointing of a milling operation within the large number of layers, including of end-pointing of the thin layers without unnecessarily damaging the multilayer structure. L'invention concerne un système et un procédé améliorés pour l'édition ou la réparation de circuits dans des structures multi-couches comprenant un grand nombre de couches qui contiennent des couches présentant des épaisseurs inférieures à 20 nm ou même moins, par exemple inférieures à 10 nm ou 8 nm. Le système et le procédé de fonctionnement permettent l'acquisition avancée de points d'extrémités lors d'une opération de fraisage à l'intérieur du grand nombre de couches, y compris l'acquisition de points d'extrémités des couches minces sans endommager inutilement la structure multi-couches.