APPARATUS FOR RETROGRADE SOLVOTHERMAL CRYSTAL GROWTH, METHOD OF MAKING, AND METHOD OF USE

According to the present disclosure, techniques related to processing of materials for growth of crystals are provided. More particularly, the present disclosure provides apparatus and methods for heating of seed crystals suitable for use in conjunction with a high-pressure vessel for crystal growth of a material having a retrograde solubility in a supercritical fluid, including crystal growth of a group III metal nitride crystal by an ammonobasic or ammonoacidic technique, but there can be others. In other embodiments, the present disclosure provides methods suitable for synthesis of crystalline nitride materials, but it would be recognized that other crystals and materials can also be processed. Such crystals and materials include, but are not limited to, GaN, AIN, InN, InGaN, AIGaN, and AllnGaN, and others for manufacture of bulk or patterned substrates. Such bulk or patterned substrates can be used for a variety of applications including optoelectronic devices, lasers, light emitting diodes, solar cells, photoelectrochemical water splitting and hydrogen generation, photodetectors, integrated circuits, and transistors, among other devices. La présente invention concerne des techniques se rapportant au traitement de matériaux pour la croissance de cristaux. Plus particulièrement, la présente invention concerne un appareil et des procédés de chauffage de cristaux d'ensemencement appropriés pour une utilisation conjointement avec un récipient haute pression pour la croissance cristalline d'un matériau ayant une solubilité rétrograde dans un fluide supercritique, comprenant la croissance cristalline d'un cristal de nitrure de métal du groupe III par une technique ammonobasique ou ammonoacide, mais il peut y en avoir d'autres. Dans d'autres modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés appropriés pour la synthèse de matériaux nitrures cristallins, mais il serait reconnu que d'autres cristaux et matériaux peuvent également être traités. De tels cristaux et matériaux comprennent, mais sans y être limités, GaN, AIN, InN, InGaN, AIGaN et AllnGaN, et autres pour la fabrication de substrats en masse ou à motifs. De tels substrats en masse ou à motifs peuvent être utilisés pour une variété d'applications comprenant des dispositifs optoélectroniques, des lasers, des diodes électroluminescentes, des cellules solaires, la dissociation photoélectrochimique de l'eau et la génération d'hydrogène, des photodétecteurs, des circuits intégrés et des trans