PULSE ALD SEQUENCE FOR LOW FLUORINE WN DEPOSITION

Provided herein are methods of forming tungsten nitride (WN) barrier layers in features, the method comprises forming a tungsten sublayer by dosing diborane to a chamber and purging diborane from the chamber one or more times, and after dosing and purging diborane, dosing tungsten hexafluoride to the chamber and purging tungsten hexafluoride from the chamber multiple times; after forming the tungsten sublayer, dosing diborane to the chamber and purging diborane from the chamber; and after dosing and purging diborane, dosing a nitriding agent to the chamber to convert the tungsten sublayer to a tungsten nitride sublayer and purging the nitriding agent from the chamber. L'invention concerne des procédés de formation de couches barrières de nitrure de tungstène (WN) dans des caractéristiques, le procédé consistant à former une sous-couche de tungstène par administration de diborane dans une chambre et purge du diborane de la chambre à une ou plusieurs reprises, et après l'administration et la purge du diborane, à administrer de l'hexafluorure de tungstène dans la chambre et à purger l'hexafluorure de tungstène de la chambre à plusieurs reprises ; après la formation de la sous-couche de tungstène, à administrer le diborane dans la chambre et à purger le diborane de la chambre ; et après administration et purge du diborane, à administrer un agent de nitruration dans la chambre pour convertir la sous-couche de tungstène en une sous-couche de nitrure de tungstène et à purger l'agent de nitruration de la chambre.