DRAM CELLS AND MANUFACTURING METHODS THEREOF

A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure comprises a semiconductor layer, a first gate structure, a second gate structure, a first dielectric layer, a first capacitor and a second capacitor. The semiconductor layer comprises a first cell region and a second cell region. The first cell region comprises a first source region, a first drain region, and a first body region between the first source region and the first drain region. The second cell region comprises a second source region, a second drain region, and a second body region between the second source region and the second drain region. The first gate structure is disposed on a first side of the semiconductor layer and over the first body region, and the second gate structure is disposed on the first side of the semiconductor layer and over the second body region. The first dielectric layer is disposed on a second side of the semiconductor layer opposite from the first side. The first dielectric layer is in contact with the semiconductor layer and overlapped with both the first source region and the second source region. The first capacitor is disposed on the second side of the semiconductor layer and electrically connected to the first source region. The second capacitor is disposed on the second side of the semiconductor layer and electrically connected to the second source region. A method for manufacturing the semiconductor structure is also provided. L'invention concerne une structure semi-conductrice. La structure semi-conductrice comprend une couche semi-conductrice, une première structure de grille, une seconde structure de grille, une première couche diélectrique, un premier condensateur et un second condensateur. La couche semi-conductrice comprend une première région de cellule et une seconde région de cellule. La première région de cellule comprend une première région de source, une première région de drain et une première région de corps entre la première région de source et la première région de drain. La seconde région de cellule comprend une seconde région de source, une seconde région de drain et une seconde région de corps entre la seconde région de source et la seconde région de drain. La première structure de grille est disposée sur un premier côté de la couche semi-conductrice et sur la première région de corps, et la seconde structure de grille est disposée sur le premier côté de la couche semi-conductrice et sur la seconde région de corps. La première c