SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH ETCH STOP LAYER AND METHOD FOR MAKING THE SAME

The present disclosure relates to semiconductor structures, methods for making the same, and methods using the same. The semiconductor structure comprises a first substrate, a second substrate on the first substrate, a first bonding layer between the first substrate and the second substrate, a first etch stop layer between the first bonding layer and the second substrate, and the first etch stop layer has high etch selectivity against the first bonding layer. In particular, some embodiments of the present disclosure relate to semiconductor structures with etch stop layer, methods for making the same, and methods using the same. La présente divulgation concerne des structures semi-conductrices ainsi que des procédés de fabrication et d'utilisation de celles-ci. La structure semi-conductrice comprend un premier substrat, un second substrat disposé sur le premier substrat, une première couche de liaison disposée entre le premier substrat et le second substrat, une première couche d'arrêt de gravure disposée entre la première couche de liaison et le second substrat, et la première couche d'arrêt de gravure présente une sélectivité de gravure élevée par rapport à la première couche de liaison. En particulier, certains modes de réalisation de la présente divulgation concernent des structures semi-conductrices avec une couche d'arrêt de gravure, ainsi que des procédés de fabrication et d'utilisation de celles-ci.