PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD

Disclosed is a plasma processing apparatus for removing a film, which is formed on the peripheral edge of a substrate, by means of a plasma, the plasma processing apparatus being provided with: a processing chamber which houses a substrate and is configured such that the pressure thereof can be reduced; a substrate support stage which is disposed within the processing chamber and has an upper surface that serves as a placement surface on which the substrate is placed; an ejection head which is provided above the substrate support stage and ejects a gas toward the placement surface; a plasma supply mechanism which supplies a plasma to the edge of the substrate that is placed on the placement surface; and an adjustment mechanism which adjust the relative position and inclination of the ejection head and the substrate support stage. Est divulgué un appareil de traitement au plasma pour retirer un film formé sur le bord périphérique d'un substrat, au moyen d'un plasma, ledit appareil étant pourvu : d'une chambre de traitement contenant un substrat et configurée de sorte que sa pression puisse être réduite ; d'un étage de support de substrat, disposé à l'intérieur de la chambre de traitement et comportant une surface supérieure qui sert de surface de placement de substrat ; d'une tête d'éjection disposée au-dessus de l'étage de support de substrat et éjectant un gaz vers la surface de placement ; d'un mécanisme d'alimentation en plasma qui achemine un plasma vers le bord du substrat placé sur la surface de placement ; et d'un mécanisme de réglage qui règle la position relative et l'inclinaison de la tête d'éjection et de l'étage de support de substrat. 基板の周縁部に形成された膜をプラズマにより除去するプラズマ処理装置であって、減圧可能に構成され、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、その上面である載置面に基板が載置される基板支持台と、前記基板支持台の上方に設けられ、前記載置面に向けてガスを吐出する吐出ヘッドと、前記載置面に載置された基板の端部にプラズマを供給するプラズマ供給機構と、前記吐出ヘッドと前記基板支持台の相対的な位置及び傾きを調整する調整機構と、を備える。