SEMICONDUCTOR DEVICE

This semiconductor device comprises: a substrate; a device region provided to the substrate; a terminal covering the device region in a planar view; and at least three pseudo bumps disposed densely in a layout so as to be positioned at vertexes of a triangle in a planar view, on the terminal. From a bottom portion and along a side portion of each of the three pseudo bumps, excluded portions are formed due to a protrusion of part of the terminal. The excluded portions of each pseudo bump are formed in a pair on a first side and a second side of each pseudo bump in a first direction, so as to have a directionality along the first direction in a planar view. The excluded portions of the three pseudo bumps are arranged along a second direction with an interval therebetween. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : un substrat ; une région de dispositif disposée sur le substrat ; une borne recouvrant la région de dispositif dans une vue en plan ; et au moins trois pseudo-bosses disposées de manière dense dans une disposition de façon à être positionnées au niveau de sommets d'un triangle dans une vue en plan, sur la borne. À partir d'une partie inférieure et le long d'une partie latérale de chacune des trois pseudo-bosses, des parties exclues sont formées en raison d'une saillie d'une partie de la borne. Les parties exclues de chaque pseudo-bosse sont formées dans une paire sur un premier côté et un second côté de chaque pseudo-bosse dans une première direction, de façon à avoir une directivité le long de la première direction dans une vue en plan. Les parties exclues des trois pseudo-bosses sont agencées le long d'une seconde direction avec un intervalle entre elles. 半導体装置は、基板と、基板に設けられたデバイス領域と、平面視でデバイス領域を覆う端子と、端子の上に、平面視で三角形の頂点に位置するレイアウトで密に配置された少なくとも３個の疑似バンプを含み、３個の疑似バンプのそれぞれの下部から側部に沿って、端子の一部の隆起により排斥物が形成されており、各疑似バンプの排斥物は、平面視において第１方向に沿って指向性を持つように、各疑似バンプの第１方向における一方側および他方側の両側に一対形成されており、３個の疑似バンプの排斥物は、第２方向に沿って互いに間隔を空けて配列されている。